0102030405
CrSi-Legierungsziel: anpassbar an verschiedene Spezifikationen
Funktionelle Eigenschaften von Dünnschichten
Kontrollierbare Widerstandseigenschaften: CrSi-Dünnschichten weisen einen breiten Widerstandsbereich auf, was durch Anpassung der Zusammensetzung eine hochpräzise Widerstandsherstellung ermöglicht.
Hohe thermische Stabilität: Behält stabile elektrische Eigenschaften auch bei hohen Temperaturen (≤800°C) bei und eignet sich daher für Hochtemperaturgeräte.
Starke Haftung und Korrosionsbeständigkeit: Starke Verbindung mit Keramik- und Siliziumsubstraten sowie Beständigkeit gegenüber saurer und oxidativer Korrosion.
Effiziente Sputterleistung
Effiziente Sputterleistung
Einheitliche Legierungsstruktur: Hohe Dichte und geringe Porosität gewährleisten eine gleichmäßige und konsistente Zusammensetzung des Sputterfilms.
Geringe Sputterdefekte: Hohe Reinheit (≥99,9 %) und niedriger Verunreinigungsgehalt (Sauerstoffgehalt ≤600 ppm) reduzieren Filmbildungsdefekte.
Gute Kristallisationskontrolle: Die kristalline/amorphe Struktur des Dünnfilms kann durch Prozessparameter an unterschiedliche Anwendungsanforderungen angepasst werden.
Kompatibilität von Handwerk und Integration
Kompatibilität von Handwerk und Integration
Niedrigtemperatur-Filmbeschichtungsfähigkeit: Kann bei ≤200°C abgeschieden werden und ist somit mit temperaturempfindlichen Halbleiterprozessen auf Siliziumbasis kompatibel.
Ätz- und Grafikfreundlich: Kompatibel mit Trocken-/Nassätzverfahren mit hoher grafischer Genauigkeit für die Mikrobearbeitung.
Kompatibel mit Halbleiterprozessen: Frei von Verunreinigungen (z. B. Natrium, Kalium) und erfüllt die Anforderungen der Herstellung integrierter Schaltungen.
Beschreibung2
Halbleiter und Mikroelektronik
Dünnschichtwiderstandsmaterialien: Werden in hochpräzisen Dünnschichtwiderständen (z. B. Chipwiderständen, Lastwiderständen integrierter Schaltungen) verwendet, um einen stabilen Temperaturkoeffizienten (TCR) zu gewährleisten.
Diffusionsbarriere: Unterdrückt die Kupferdiffusion in Kupferverbindungsstrukturen, um die Zuverlässigkeit des Bauelements zu verbessern.
Phasenwechselspeicher: Als Elektrodenkontaktschicht des Ge-Sb-Te-Phasenwechselspeichers.
Sensoren und Funktionsbausteine
Temperatursensoren: CrSi-Dünnschichten werden zur Herstellung hochempfindlicher Temperatursensoren verwendet (z. B. für Automobilelektronik, industrielle Temperaturregelungssysteme).
Dehnungsmessschicht: Wird in MEMS-Bauelementen als piezoresistives Material zur Umwandlung von mechanischen Spannungssignalen verwendet.
Fotodetektor: Die Kontaktelektrode und Signalübertragungsschicht, die für Infrarotdetektoren verwendet werden.
Neue Energie- und optische Technologien
Solarzellenelektroden: Dienen als Rückkontaktschicht oder transparente leitfähige Oxidschicht (TCO) als Trägerschicht für Dünnschichtsolarzellen.
Optisch steuerbarer Film: Wird als reflektierende Schicht oder Absorptionsregulierungsschicht für Infrarotoptiken verwendet.
Material des magnetischen Aufzeichnungskopfes: Wird als Zuleitungs- oder Abschirmungsmaterial im Festplattenkopf verwendet.
Wafer-Level-Packaging: Wird für Widerstände und Isolationsschichten für fortschrittliche Packaging-Technologien wie U-Chip und TSV verwendet.
Beschreibung2
