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Hochreines Wolfram-Target 300 mm W Target

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Wolfram-Titan-Legierungsziel 300 mm WTi-Ziel

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Zuverlässiges 300-mm-WSi-Target für verbesserte Leistung

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Hochreines 300-mm-Cr-Target für Präzisionsanwendungen

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Eisen-Kobalt-Tantal-Legierung FeCoTa

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MoSi-Legierungstarget: ausgezeichnete Filmgleichmäßigkeit

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MoTi-Legierungsziel: Kernmaterial für Hartbeschichtung

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CrSi-Legierungsziel: anpassbar an verschiedene Spezifikationen

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Molybdän-Target: speziell für die Sputterbeschichtung verwendet

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Borcarbid-Ziel: speziell für PVD

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Hochreines Wolfram-Target 300 mm W Target

Wolfram-Legierungstargets werden aus hochreinem Wolfram (W) in Kombination mit anderen Metallen wie Titan und Titan-Wolfram-Legierungen hergestellt und dienen der Sputterproduktion. Sie sind speziell für physikalische Gasphasenabscheidungsverfahren (PVD) wie das Magnetron-Sputtern entwickelt. Ihr hoher Schmelzpunkt, ihre ausgezeichnete thermische Stabilität und ihre gute Leitfähigkeit machen sie unverzichtbar für Anwendungen in Bereichen wie integrierte Halbleiterschaltungen, Hochtemperaturbeschichtungen, moderne Displays und neue Energien.

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    Eigenschaften

    Hervorragende Filmbildungsqualität und Stabilität
    Der gebildete Film weist eine extrem hohe thermische Stabilität und chemische Inertheit auf, ist beständig gegen Hochtemperatur-Oxidation und kann bei Temperaturen über 1000°C eingesetzt werden;

    Die Filmschicht ist dicht und gleichmäßig, haftet stark, ist mit verschiedenen Substraten (wie Silizium, Glas, Keramik usw.) kompatibel und neigt nicht zum Ablösen;

    Dank seines niedrigen spezifischen Widerstands und seiner guten Wärmeleitfähigkeit eignet es sich für elektronische Hochleistungs- und Hochfrequenzgeräte.

    Effiziente Beschichtungsprozessleistung

    Die Sputterrate ist hoch, die Reproduzierbarkeit des Prozesses ist gut und die Ausnutzung des Targetmaterials ist hoch, wodurch sich das Verfahren für die kontinuierliche Massenproduktion eignet;

    Die Korngröße ist klein und einheitlich (üblicherweise zwischen 10 und 40 μm), mit geringer Oberflächenrauheit und wenigen Defekten;

    Zeigt gute Stabilität und Konsistenz der Abscheidung in Prozessen wie DC-Magnetron-Sputtern und HiPIMS.

    Breites Spektrum an Anpassungsfähigkeit an Umwelt- und Prozessbedingungen

    Säure- und Korrosionsbeständigkeit, stabile Leistung in den meisten Nass- und Plasmaverfahren;

    Unterstützt die Niedertemperaturabscheidung (unter 200 °C), geeignet für wärmeempfindliche Funktionsbauelemente und flexible Substrate;

    Kompatibel mit Lithographieverfahren (wie Lithographie, Ätzen, CMP), um den Anforderungen der mehrstufigen Integration in der Halbleiterfertigung gerecht zu werden.

    Beschreibung2

    Anwendung

    Halbleiter und Mikroelektronik

    Barriere- und Haftschichten: Diffusionsbarrieren (z. B. W/TiW-Legierungen) in der Kupferverbindungstechnik zur Verhinderung der Kupfermigration.

    Gate- und Kontaktlochfüllung: Wird als lokales Verbindungs- und Kontaktlochmaterial in modernen Logik- und Speicherchips verwendet.

    Hochtemperatur- und Schutzbeschichtungen

    Hochtemperatur-Komponentenschutz: Korrosions- und Oxidationsschutzbeschichtungen für Hochtemperatur-Komponenten wie Flugzeugtriebwerke und Gasturbinenschaufeln.

    Werkzeug- und Formenverstärkung: Die Oberflächenbeschichtung von Schneidwerkzeugen und Druckgussformen verbessert die Verschleißfestigkeit und Lebensdauer erheblich.

    Anzeige- und optische Geräte

    Dünnschichttransistor-Elektroden (TFT): Gates und Signalleitungen, die in hochauflösenden LCD/OLED-Anzeigefeldern verwendet werden.

    Röntgentargets und optische Masken: als Hochenergie-Strahlblockierungs- und Musterübertragungsschichten in medizinischen Bildgebungs- und Lithographiesystemen.

    Neue Energien und Sensoren

    Elektroden von Photovoltaikzellen: die Rückelektrode und die transparente leitfähige Schicht von Dünnschichtsolarzellen (wie z. B. CIGS-Zellen).

    MEMS- und Sensorstrukturschicht: Wird für leitfähige und strukturelle Schichten in mikromechanischen Systemen wie Drucksensoren und Beschleunigungsmessern verwendet.

    Beschreibung2

    W-Ziel

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