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MoSi-Legierungstarget: ausgezeichnete Filmgleichmäßigkeit

MoSi-Legierungstargetmaterialien sind Sputtertargets aus hochreinem Molybdän (Mo) und Silizium (Si) in präzisen Verhältnissen, die speziell für physikalische Gasphasenabscheidungsverfahren (PVD) wie das Magnetron-Sputtern entwickelt wurden. Ihre einzigartigen elektrischen Eigenschaften, ihre hohe Temperaturstabilität und ihre gute Schichthomogenität machen sie zu wichtigen Materialien für Bereiche wie integrierte Halbleiterschaltungen, fortschrittliche Displaytechnologien, Hochtemperatur-Schutzschichten und optische Funktionsschichten.

    Filmeigenschaften

    Niedriger spezifischer Widerstand: MoSi-Filme weisen einen niedrigen spezifischen Widerstand auf und eignen sich daher für die Anforderungen an eine leistungsstarke leitfähige Schicht.

    Hochtemperaturstabilität: Es behält seine strukturelle Stabilität auch bei hohen Temperaturen, weist eine hohe Oxidationsbeständigkeit auf und behält seine Leistungsfähigkeit bei Hochtemperaturprozessen.

    Haftung: Starke Bindung mit Substraten wie Silizium, Glas und Oxiden, geeignet als Übergangs- oder Funktionsschicht.

    Effiziente Sputterleistung

    Niedriger spezifischer Widerstand: MoSi-Filme weisen einen niedrigen spezifischen Widerstand auf und eignen sich daher für die Anforderungen an eine leistungsstarke leitfähige Schicht.

    Hochtemperaturstabilität: Es behält seine strukturelle Stabilität auch bei hohen Temperaturen, weist eine hohe Oxidationsbeständigkeit auf und behält seine Leistungsfähigkeit bei Hochtemperaturprozessen.

    Gute Haftung: Starke Bindung mit Substraten wie Silizium, Glas und Oxiden, geeignet als Übergangs- oder Funktionsschicht.

    Chemische und funktionelle Kompatibilität


    Oxidations- und Korrosionsbeständigkeit: Bildet in heißer Luft eine dichte SiO₂-Schutzschicht auf der Oberfläche und verhindert so eine weitere Oxidation.

    Ätzleistung: Kompatibel mit gängigen Lithographieverfahren, sowohl Trocken- als auch Nassätzung ermöglichen hochpräzise Grafiken.

    Anpassbarer Siliziumgehalt: Durch die Anpassung des Mo/Si-Verhältnisses kann es an die elektrischen und optischen Anforderungen verschiedener Anwendungsszenarien angepasst werden.

    Beschreibung2

    Halbleiter und Mikroelektronik

    Gate- und Verbindungsmaterialien: Werden für Gate-Elektroden und lokale Verbindungsschichten in integrierten Schaltungen verwendet, insbesondere für Hochtemperaturprozesse.

    Diffusionsbarriereschicht: Blockiert effektiv die Diffusion von Metallatomen und verbessert so die Zuverlässigkeit und Lebensdauer des Bauelements.

    Effiziente Sputterleistung

    Niedriger spezifischer Widerstand: MoSi-Filme weisen einen niedrigen spezifischen Widerstand auf und eignen sich daher für die Anforderungen an eine leistungsstarke leitfähige Schicht.

    Hochtemperaturstabilität: Es behält seine strukturelle Stabilität auch bei hohen Temperaturen, weist eine hohe Oxidationsbeständigkeit auf und behält seine Leistungsfähigkeit bei Hochtemperaturprozessen.

    Gute Haftung: Starke Bindung mit Substraten wie Silizium, Glas und Oxiden, geeignet als Übergangs- oder Funktionsschicht.

    Chemische und funktionelle Kompatibilität


    Oxidations- und Korrosionsbeständigkeit: Bildet in heißer Luft eine dichte SiO₂-Schutzschicht auf der Oberfläche und verhindert so eine weitere Oxidation.

    Ätzleistung: Kompatibel mit gängigen Lithographieverfahren, sowohl Trocken- als auch Nassätzung ermöglichen hochpräzise Grafiken.

    Anpassbarer Siliziumgehalt: Durch die Anpassung des Mo/Si-Verhältnisses kann es an die elektrischen und optischen Anforderungen verschiedener Anwendungsszenarien angepasst werden.


    Beschreibung2

    Tabelle der MoSi-Targeteigenschaften