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Siliziumkarbid: Die Zukunft der Hochleistungsmaterialien
Höchste Reinheit und kontrollierbare Zusammensetzung
Reinheit ≥4N (99,99 %), um sicherzustellen, dass der abgeschiedene Film frei von Verunreinigungen ist und die Anforderungen von Halbleiterprozessen erfüllt; Niedriger Sauerstoffgehalt (
Extreme Umweltstabilität
Hohe Temperaturbeständigkeit, Schmelzpunkt > 2700 °C, keine Schmelzverformung unter PVD-Hochenergie-Plasmabeschuss; zudem ist es beständig gegen Plasmaerosion, die Oberflächenkorrosionsrate ist deutlich geringer als bei Metalltargets, die Lebensdauer ist 3- bis 5-mal länger und die Häufigkeit von Abschaltungen und Targetwechseln wird reduziert. Es ist außerdem chemisch inert, beständig gegen Korrosion durch Ar, N₂, O₂ und andere Prozessgase und erzeugt keine Nebenprodukte.
Mechanische und thermische Zuverlässigkeit
Hohe Härte (Hv > 2500), beständig gegen Klemmspannungen und Temperaturschocks auf der Rückseite, rissbeständig; zudem weist es einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten auf, der optimal mit der Kupfer/Molybdän-Rückplatte harmoniert und das Risiko von Delaminationen durch Temperaturwechsel reduziert. Es bietet außerdem eine hohe Wärmeleitfähigkeit, effiziente Wärmeableitung und verhindert Bauteilentmischung durch lokale Überhitzung.
Reinheit ≥4N (99,99 %), um sicherzustellen, dass der abgeschiedene Film frei von Verunreinigungen ist und die Anforderungen von Halbleiterprozessen erfüllt; Niedriger Sauerstoffgehalt (
Extreme Umweltstabilität
Hohe Temperaturbeständigkeit, Schmelzpunkt > 2700 °C, keine Schmelzverformung unter PVD-Hochenergie-Plasmabeschuss; zudem ist es beständig gegen Plasmaerosion, die Oberflächenkorrosionsrate ist deutlich geringer als bei Metalltargets, die Lebensdauer ist 3- bis 5-mal länger und die Häufigkeit von Abschaltungen und Targetwechseln wird reduziert. Es ist außerdem chemisch inert, beständig gegen Korrosion durch Ar, N₂, O₂ und andere Prozessgase und erzeugt keine Nebenprodukte.
Mechanische und thermische Zuverlässigkeit
Hohe Härte (Hv > 2500), beständig gegen Klemmspannungen und Temperaturschocks auf der Rückseite, rissbeständig; zudem weist es einen niedrigen Wärmeausdehnungskoeffizienten auf, der optimal mit der Kupfer/Molybdän-Rückplatte harmoniert und das Risiko von Delaminationen durch Temperaturwechsel reduziert. Es bietet außerdem eine hohe Wärmeleitfähigkeit, effiziente Wärmeableitung und verhindert Bauteilentmischung durch lokale Überhitzung.
Halbleiterfertigung
Funktionelle Folien und Beschichtungen
Optik und Sensoren
Leistungselektronik: SiC-Dünnschichten werden in Schottky-Dioden-Passivierungsschichten und MOSFET-Gate-Medien verwendet, um die Spannungsfestigkeit und Zuverlässigkeit zu verbessern;
Oberflächenpassivierungsschicht in GaN-HEMT-Bauelementen zur Verhinderung des Stromzusammenbruchs;
Oberflächenpassivierungsschicht in GaN-HEMT-Bauelementen zur Verhinderung des Stromzusammenbruchs;
Epitaxie der dritten Generation von Halbleitern: Als Puffer-/Templateschicht werden hochwertige SiC-Epitaxiewafer hergestellt.
Funktionelle Folien und Beschichtungen
Verschleißfeste Beschichtung: SiC-Film, der auf die Oberfläche von Werkzeugen und Lagern aufgebracht wird;
Beschichtung der Brennstabhülle von Kernreaktoren: SiC-Verbundbeschichtung;
Thermischer Schutz für die Luft- und Raumfahrt: Antioxidationsmittelbeschichtung aus SiC auf Triebwerkskomponenten.
Optik und Sensoren
Antireflexionsfolie für Infrarotfenster: Für optische Infrarotkomponenten im 3-5µm-Band wird eine SiC-Folie verwendet.
Passivierungsschicht für MEMS-Sensoren: korrosionsbeständiger Medienkontakt (Biochip, chemischer Sensor).
