Wolfram-Titan-Legierungsziel 300 mm WTi-Ziel

Wolfram-Titan-Legierungstargets werden pulvermetallurgisch hergestellt. Diese Legierung vereint die Vorteile der Übergangsmetalle Wolfram und Titan. Sie zeichnet sich durch hohe Dichte und Reinheit, verbesserte Korrosionsbeständigkeit und geringe Volumenausdehnung aus. Dadurch wird die Partikelbildung im Herstellungsprozess effektiv reduziert, was die Fertigung hochwertiger Produkte ermöglicht. Je nach Anwendungszweck variieren die Anforderungen an den Reinheitsgrad von hochreinem Wolfram- und Wolfram-Titan-Targets. Die chemische Reinheit liegt üblicherweise zwischen 99,99 % und 99,999 %. Auf Kundenwunsch fertigen wir auch kundenspezifische Spezifikationen.

Kontaktieren Sie uns

Eigenschaften

Filmleistung und Prozessanpassungsfähigkeit

Hohe Barriereeigenschaften: WTi-Filme haben einen sehr niedrigen Diffusionskoeffizienten, der die Diffusion von Kupferatomen (Cu) in das Siliziumsubstrat oder die dielektrische Schicht wirksam verhindern kann und ein wichtiges Diffusionsbarrierematerial für Kupferverbindungen in fortgeschrittenen Prozessen darstellt.

Starke Haftung: Die aktiven Eigenschaften von Ti verbessern die Bindungsstärke des Films mit dem Substrat (wie SiO₂, Low-k-Medien) und dem oberen Metall (wie Cu) deutlich und verhindern das Ablösen des Films.

Niedriger spezifischer Widerstand: Die optimierte Korngrenzenstruktur führt zu einem geringeren spezifischen Widerstand des Films als bei reinem TiN und anderen Verbindungen, wodurch der Widerstand der Verbindungsleitung reduziert wird;

Stabilität des Sputterprozesses

Einheitliche Legierungsphasenstruktur: Durch die Verwendung hochreiner Rohstoffe und Homogenisierungsprozesse wird eine gleichmäßige Verteilung der Zielkomponenten gewährleistet und eine hohe Gleichmäßigkeit der Schichtdicke und der Komponenten erreicht.

Hohe Sputterrate: Hohe Dichte und geringe Verunreinigungen verbessern die Sputtereffizienz und senken die Prozesskosten;

Verhinderung von Knötchenbildung und Lichtbogenkontrolle: Optimierte Korngröße und Mikrostruktur reduzieren Partikelspritzer und anormale Entladungen während des Sputterns und gewährleisten so die Prozessstabilität.

Chemie und thermische Stabilität

Hochtemperatur-Oxidationsbeständigkeit: In der Hochtemperaturumgebung des PVD-Hohlraums (300-500°C) behält der WTi-Film seine strukturelle Stabilität und hemmt die durch Oxidation verursachte Leistungsverschlechterung.

Korrosionsbeständigkeit: Es weist eine hohe Beständigkeit gegenüber Ätzgasen und Nassreinigungslösungen auf, um die Kompatibilität mit nachfolgenden Prozessen zu gewährleisten.

Flexible Prozesskompatibilität

Anpassung des Reaktionssputterns: Der WTiN-Verbundfilm kann in einer gemischten Stickstoff/Argon-Atmosphäre gesputtert werden, um die Barriereeigenschaften und die Härte weiter zu verbessern.

Integration von Mehrschichtfolien: kompatibel mit Ta/TaN, Co, Ru und anderen Folienmaterialien, unterstützt komplexe Laminatstrukturen.

Beschreibung2

Anwendung

Halbleiterfertigung

Logikchip: Diffusionsbarriereschicht in einem High-k-Metallgate (HKMG). Wichtige Barriere-/Haftschichten der Cu-Verbindung (z. B. Cu/WTiN/Ti/Si-Struktur);

Speicherchip: DRAM: kapazitive Elektrodenkontaktschicht, Bit-/Wortleitungsblockierungsschicht;

3D-NAND: leitfähige Haftschicht aus Treppenkontakten;

Herstellung von Flachbildschirmen

TFT-LCD/OLED: Source-/Leckstromelektrode und Gate-Metallisierungsschicht des Dünnschichttransistors (TFT);

Touchpanel: Leitfähige Verstärkungsschicht unterhalb des ITO zur Optimierung der Berührungsempfindlichkeit;

Verbindungshalbleiter und Leistungsbauelemente

GaN/SiC-Bauelemente: Haftschichten mit ohmschem Kontakt,

Leistungsmodul: Metallisierte Diffusionssperrschicht auf der Chipoberfläche zur Verhinderung der Elementinterdiffusion bei hohen Temperaturen.

Eigenschaftentabelle

WTi-Ziel

Beschreibung2

Make an free consultant

Your Name*

E-mail*

Phone Number

Country

Remarks*

BY ENTERING YOUR E-MAIL ADDRESS YOU ACCEPT INJET PRIVACY POLICY