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Cible en alliage CrSi : personnalisable selon différentes spécifications
Caractéristiques fonctionnelles des couches minces
Caractéristiques de résistance contrôlables : les couches minces de CrSi présentent une large gamme de résistivité, ce qui permet une préparation de résistances de haute précision grâce à un ajustement de la composition.
Haute stabilité thermique : Maintient des propriétés électriques stables dans des environnements à haute température (≤800°C), ce qui le rend adapté aux dispositifs à haute température.
Forte adhérence et résistance à la corrosion : forte liaison avec les substrats en céramique et en silicium, et résistance à la corrosion environnementale acide et oxydante.
Performances de pulvérisation efficaces
Performances de pulvérisation efficaces
Structure d'alliage uniforme : La densité élevée et la faible porosité assurent une composition de film de pulvérisation uniforme et constante.
Faibles défauts de pulvérisation : une pureté élevée (≥99,9 %) et une faible teneur en impuretés (teneur en oxygène ≤600 ppm) réduisent les défauts de formation du film.
Bonne capacité de contrôle de la cristallisation : la structure cristalline/amorphe du film mince peut être ajustée par le biais des paramètres de processus afin de s’adapter aux différents besoins d’application.
Compatibilité des techniques et intégration
Compatibilité des techniques et intégration
Capacité de dépôt de film à basse température : Peut être déposé à ≤200°C, compatible avec les procédés semi-conducteurs à base de silicium sensibles à la température.
Gravure et graphisme compatibles : Compatible avec les procédés de gravure sèche/humide offrant une haute précision graphique pour la micro-usinage.
Compatible avec les procédés de fabrication des semi-conducteurs : exempt d’éléments contaminants (par exemple, sodium, potassium), répondant aux exigences de la fabrication des circuits intégrés.
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Semiconducteurs et microélectronique
Matériaux de résistances à couche mince : Utilisés dans les résistances à couche mince de haute précision (par exemple, les résistances à puce, les résistances de charge de circuits intégrés) pour fournir un coefficient de température stable (TCR).
Barrière de diffusion : Supprime la diffusion du cuivre dans les structures d’interconnexion en cuivre afin d’améliorer la fiabilité du dispositif.
Mémoire à changement de phase : comme la couche de contact de l'électrode de la série de mémoires à changement de phase Ge-Sb-Te.
Capteurs et dispositifs fonctionnels
Capteurs de température : les couches minces de CrSi sont utilisées pour fabriquer des capteurs de température à haute sensibilité (par exemple, pour l’électronique automobile, les systèmes de contrôle de température industriels).
Couche de détection de contrainte : Utilisée comme matériau piézorésistif dans les dispositifs MEMS pour réaliser la conversion du signal de contrainte mécanique.
Photodétecteur : L’électrode de contact et la couche de transmission du signal utilisées pour les détecteurs infrarouges.
Nouvelles énergies et technologies optiques
Électrodes des cellules solaires : servent de couche de contact arrière ou de couche de support d'oxyde conducteur transparent (TCO) pour les cellules solaires à couches minces.
Film à contrôle optique : utilisé comme couche réfléchissante ou couche de régulation d'absorption pour l'optique infrarouge.
Matériau de la tête d'enregistrement magnétique : utilisé comme matériau de plomb ou de blindage dans la tête du disque dur.
Conditionnement au niveau de la plaquette : utilisé pour les résistances et les couches d’isolation dans les technologies de conditionnement avancées telles que U-Chip et TSV.
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