Cible en tungstène de haute pureté 300 mm W
caractéristiques
Excellente qualité et stabilité de la formation du film
Le film formé présente une stabilité thermique et une inertie chimique extrêmement élevées, résiste à l'oxydation à haute température et peut fonctionner à des températures supérieures à 1000 °C ;
La couche de film est dense et uniforme, avec une forte adhérence, compatible avec divers substrats (tels que le silicium, le verre, la céramique, etc.) et ne présente pas de risque de décollement ;
Sa faible résistivité et sa bonne conductivité thermique le rendent adapté aux appareils électroniques haute puissance et haute fréquence.
Performances efficaces du processus de revêtement
Le taux de pulvérisation est élevé, la reproductibilité du processus est bonne et le taux d'utilisation du matériau cible est élevé, ce qui le rend adapté à une production continue à grande échelle ;
La taille des grains est petite et uniforme (généralement contrôlée entre 10 et 40 μm), avec une faible rugosité de surface et peu de défauts ;
Présente une bonne stabilité et une bonne homogénéité de dépôt dans des procédés tels que la pulvérisation cathodique magnétronique DC et le HiPIMS.
Large gamme d'adaptabilité environnementale et de processus
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Application
Semiconducteurs et microélectronique
Revêtements haute température et protecteurs
Dispositifs d'affichage et optiques
Nouvelles énergies et capteurs
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