Leave Your Message

Cible en oxyde de magnésium-zinc : largement utilisée en optoélectronique UV

Le matériau cible de pulvérisation MZO (oxyde de zinc et de magnésium, ZnMgO) est une céramique composite d'oxyde formée d'oxyde de zinc et d'oxyde de magnésium par métallurgie des poudres et frittage à haute température. Il est spécifiquement conçu pour le dépôt par pulvérisation magnétron dans les procédés de dépôt physique en phase vapeur. Sa formule chimique est généralement représentée par Zn₁₋ₓMgₓO, où la teneur en magnésium (x) peut être ajustée pour moduler précisément sa structure de bande. Ceci en fait un matériau semi-conducteur à large bande interdite et hautes performances, largement utilisé en optoélectronique ultraviolette, en électronique transparente et dans les applications de couches minces multifonctionnelles.

    propriétés optoélectroniques ajustables

    Bande interdite ajustable : En modifiant le rapport de dopage du Mg (valeur x), la bande interdite peut être ajustée en continu entre 3,37 eV pour le ZnO et 7,8 eV pour le MgO, ce qui est essentiel pour la réalisation de dispositifs photoniques ultraviolets.

    Transmission lumineuse élevée dans le visible : le matériau conserve la haute transparence du ZnO, avec une transmittance supérieure à 80 % dans la région de la lumière visible, ce qui le rend adapté aux dispositifs électroniques transparents.

    Excellente qualité cristalline : avec une teneur en Mg et des conditions de traitement appropriées, des films cristallins de structure wurtzite hexagonale de haute qualité peuvent être formés, garantissant les performances du dispositif.

    Performances de pulvérisation élevées

    Structure dense et uniforme : une densité élevée (≥5,6 g/cm³) et une pureté élevée (≥99,99 %) assurent un processus de pulvérisation stable, une qualité de film élevée et une génération de particules minimale.

    Stabilité de la composition : Une technologie de frittage avancée garantit que les éléments Zn et Mg sont répartis uniformément dans le matériau cible, permettant un transfert précis de la composition pendant le processus de pulvérisation cathodique, assurant ainsi la constance de la composition du film mince.

    Excellente compatibilité avec les procédés de fabrication : peut être déposé à température ambiante ou moyenne, compatible avec divers procédés de fabrication de semi-conducteurs.

    Propriétés physiques et chimiques améliorées

    Stabilité thermique et chimique élevée : L'introduction de MgO améliore la stabilité thermique et la résistance à la corrosion du matériau, le rendant adapté aux environnements de travail plus difficiles.

    Résistivité élevée : Le film MZO intrinsèque présente une résistivité élevée, ce qui en fait un choix idéal pour la préparation de couches tampons dans les dispositifs semi-conducteurs. La conductivité peut être obtenue par dopage avec des éléments tels que l’aluminium et le gallium, permettant ainsi des applications flexibles.

    description2

    photodétecteur ultraviolet

    Détection ultraviolette en conditions diurnes : La bande interdite des films MZO à haute teneur en Mg (x ~ 0,5) peut être ajustée à plus de 4,9 eV, correspondant à la gamme ultraviolette « invisible en journée » (240-280 nm). Ces films peuvent être utilisés dans des domaines tels que les systèmes d’alerte précoce antimissile, la surveillance des incendies et les communications confidentielles hors visée directe, où un rapport signal/bruit très élevé est requis.

    Technologie d'émission de lumière et d'affichage

    Dispositifs LED : En tant que couche barrière dans la structure du puits quantique, ils forment une hétérojonction avec le ZnO, utilisée pour la fabrication de diodes électroluminescentes (DEL) ultraviolettes et bleues et de diodes laser (DL).

    Transistors à couches minces pour écrans : utilisés dans la couche de canal des fonds de panier d’écran flexibles transparents, leur bande interdite ajustable contribue à réduire le courant à l’état bloqué du dispositif et à améliorer le rapport de commutation.


    Cellules solaires à couches minces

    Matériaux de la couche tampon : En tant que couche tampon sans cadmium (sans Cd) dans les cellules solaires à couches minces telles que le séléniure de cuivre, d'indium et de gallium (CIGS), les caractéristiques de bande interdite réglables peuvent mieux correspondre aux bandes d'énergie de la couche absorbante et de la couche fenêtre, réduisant ainsi les pertes par recombinaison à l'interface et améliorant l'efficacité de conversion des cellules.

    Détection des radiations et capteurs

    Détection des rayons X et des particules de haute énergie : ses caractéristiques de large bande interdite lui permettent de résister à de fortes radiations, ce qui le rend adapté aux panneaux d’imagerie à rayons X et aux dispositifs de détection des radiations dans les expériences de physique des hautes énergies.

    Capteurs de gaz : Ces capteurs présentent une réponse électrique ou optique sensible à certains gaz, permettant des applications dans la surveillance environnementale.


    description2