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Cible en alliage MoSi : excellente uniformité du film

Les cibles en alliage MoSi sont des cibles de pulvérisation cathodique composées de molybdène (Mo) et de silicium (Si) de haute pureté, dans des proportions précises. Elles sont spécialement conçues pour les procédés de dépôt physique en phase vapeur (PVD), comme la pulvérisation cathodique magnétronique. Leurs propriétés électriques uniques, leur stabilité à haute température et l'excellente uniformité des films obtenus leur confèrent une importance considérable dans des domaines tels que les circuits intégrés semi-conducteurs, les technologies d'affichage avancées, les revêtements protecteurs haute température et les films optiques fonctionnels.

    Propriétés cinématographiques

    Faible résistivité : les films de MoSi présentent une faible résistivité, ce qui les rend adaptés aux exigences des couches conductrices hautes performances.

    Stabilité à haute température : Il peut maintenir sa stabilité structurelle dans des environnements à haute température, avec une forte résistance à l'oxydation, et peut maintenir ses performances dans les processus à haute température.

    Adhésion : Forte adhésion aux substrats tels que le silicium, le verre et les oxydes, convenant comme couche de transition ou fonctionnelle.

    Performances de pulvérisation efficaces

    Faible résistivité : les films de MoSi présentent une faible résistivité, ce qui les rend adaptés aux exigences des couches conductrices hautes performances.

    Stabilité à haute température : Il peut maintenir sa stabilité structurelle dans des environnements à haute température, avec une forte résistance à l'oxydation, et peut maintenir ses performances dans les processus à haute température.

    Bonne adhérence : Forte liaison avec des substrats tels que le silicium, le verre et les oxydes, convenant comme couche de transition ou fonctionnelle.

    Compatibilité chimique et fonctionnelle


    Résistance à l'oxydation et à la corrosion : Forme une couche protectrice dense de SiO₂ à la surface dans l'air à haute température, empêchant toute oxydation ultérieure.

    Performances de gravure : Compatible avec les procédés de lithographie courants, la gravure sèche et humide permet d’obtenir des graphismes de haute précision.

    Teneur en silicium ajustable : en ajustant le rapport Mo/Si, il peut s’adapter aux exigences électriques et optiques de différents scénarios d’application.

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    Semiconducteurs et microélectronique

    Matériaux de grille et d'interconnexion : utilisés pour les électrodes de grille et les couches d'interconnexion locales dans les circuits intégrés, notamment pour les procédés à haute température.

    Couche barrière de diffusion : bloque efficacement la diffusion des atomes métalliques, améliorant ainsi la fiabilité et la durée de vie du dispositif.

    Performances de pulvérisation efficaces

    Faible résistivité : les films de MoSi présentent une faible résistivité, ce qui les rend adaptés aux exigences des couches conductrices hautes performances.

    Stabilité à haute température : Il peut maintenir sa stabilité structurelle dans des environnements à haute température, avec une forte résistance à l'oxydation, et peut maintenir ses performances dans les processus à haute température.

    Bonne adhérence : Forte liaison avec des substrats tels que le silicium, le verre et les oxydes, convenant comme couche de transition ou fonctionnelle.

    Compatibilité chimique et fonctionnelle


    Résistance à l'oxydation et à la corrosion : Forme une couche protectrice dense de SiO₂ à la surface dans l'air à haute température, empêchant toute oxydation ultérieure.

    Performances de gravure : Compatible avec les procédés de lithographie courants, la gravure sèche et humide permet d’obtenir des graphismes de haute précision.

    Teneur en silicium ajustable : en ajustant le rapport Mo/Si, il peut s’adapter aux exigences électriques et optiques de différents scénarios d’application.


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    Tableau des propriétés cibles MoSi