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L'essor du substrat : la chaîne industrielle chinoise des substrats SiC
carbure de silicium Le carbure de silicium (SiC) est un carbure synthétique de formule chimique SiC et de masse moléculaire 40. Il possède une densité de 3,22 g/cm³, un point de fusion élevé pouvant atteindre 2700 °C et une dureté Mohs de 9,2 à 9,8, juste derrière le diamant.

État actuel et perspectives d'avenir de l'industrie des cibles de pulvérisation cathodique
Les matériaux en couches minces sont formés par condensation, formation et croissance d'atomes ou de molécules à la surface d'un substrat (par exemple, du verre optique). L'application d'une couche mince par un procédé de revêtement confère de nouvelles propriétés composites à la surface du matériau, ouvrant la voie à de nouvelles applications techniques. Ceci confère à la surface du matériau de nouvelles fonctions mécaniques, décoratives et des propriétés spécifiques telles que des propriétés acoustiques, électriques, optiques, magnétiques et thermiques, ainsi que leurs conversions, améliorant ainsi les performances initiales du produit, sa qualité et sa durée de vie.

Technologie avancée de frittage en phase liquide de céramique
I. Principaux défis techniques du frittage en phase liquide des céramiques avancées
Les céramiques avancées (telles que l'alumine, nitrure de siliciumLes matériaux composites (carbure de silicium, zircone, etc.) exigent une uniformité, une densité et une pureté microstructurales extrêmement élevées. Le frittage en phase liquide, méthode essentielle pour obtenir une densification à basse température, se heurte encore à trois problèmes majeurs en pratique, qui limitent directement les performances du produit et son application industrielle.

Deux principaux domaines d'application des céramiques de nitrure d'aluminium dans les véhicules à énergies nouvelles
Avec les progrès rapides de la microélectronique, les systèmes et composants électroniques évoluent vers une miniaturisation accrue, une conception allégée, une intégration renforcée, une fiabilité accrue et une puissance de sortie supérieure. La complexité croissante des dispositifs impose des exigences plus élevées en matière de dissipation thermique des substrats et des matériaux d'encapsulation. De ce fait, les substrats en nitrure d'aluminium (AlN), reconnus pour leur conductivité thermique élevée, sont devenus un matériau de choix dans le domaine de la dissipation thermique. Dans le secteur des véhicules à énergies nouvelles, ils peuvent même remplacer les substrats en oxyde d'aluminium, offrant ainsi de vastes perspectives d'application.

Nitrure de bore hexagonal : le « joyau aux multiples talents » de l’industrie aux applications polyvalentes !
Nitrure de bore hexagonal (h-BN)Le nitrure de bore hexagonal (h-BN) possède d'excellentes propriétés. Matériau céramique structural de premier choix, il a trouvé des applications réussies dans de nombreux domaines. Grâce à des recherches approfondies, ses propriétés fonctionnelles ont été progressivement développées, offrant de larges perspectives d'application dans des secteurs tels que les énergies nouvelles et l'électronique. De plus, pour certains environnements de service exigeants nécessitant des propriétés structurales et fonctionnelles intégrées, le h-BN constitue un matériau idéal.

Céramiques d'alumine de haute pureté : un acteur essentiel dans quatre domaines clés, illustrant l'attrait de la « pureté »
Les céramiques d'alumine de haute pureté sont des matériaux céramiques importants, composés principalement d'alumine ultrafine de haute pureté comme matière première et d'α-Al₂O₃ comme phase cristalline principale. Grâce à leurs excellentes propriétés, telles qu'une résistance mécanique et une dureté élevées, une résistance aux hautes températures et à la corrosion, les céramiques d'alumine de haute pureté sont largement utilisées dans divers domaines, notamment la mécanique, l'électronique, les circuits intégrés et la médecine.

Analyse des cas de sécurité liés aux gaz spéciaux dans les usines de semi-conducteurs : remédier aux vulnérabilités de votre gestion de la sécurité des gaz
Rôle critique et risques pour la sécurité des armoires à gaz spéciales dans la fabrication des semi-conducteurs
Dans le secteur de pointe de la fabrication des semi-conducteurs, les gaz spéciaux sont à juste titre considérés comme indispensables à la production de puces. Ils sont essentiels à des procédés clés tels que la gravure, le dépôt et le dopage. Les armoires à gaz, qui stockent et distribuent ces gaz critiques, sont des équipements absolument vitaux. Les conséquences d'une fuite d'une armoire à gaz peuvent être catastrophiques.

Progrès de la recherche sur les technologies de polissage des substrats céramiques
Ces dernières années, on a observé un développement rapide dans des domaines tels que les véhicules électriques, les locomotives électriques, l'éclairage à semi-conducteurs, l'aérospatiale et les communications par satellite. Les composants électroniques de ces applications fonctionnent à des courants élevés, à des températures élevées et à des fréquences élevées. Afin de garantir la stabilité de ces composants et circuits, les supports de puces doivent répondre à des exigences accrues. Les substrats céramiques, qui présentent d'excellentes propriétés thermiques, de bonnes performances en micro-ondes, des propriétés mécaniques remarquables et une grande fiabilité, sont largement utilisés dans ces domaines.

Céramiques d'alumine de haute pureté : un acteur « pro-céramique » essentiel dans quatre secteurs clés, illustrant l'attrait de la pureté
La céramique d'alumine de haute pureté est un matériau céramique important, composé principalement d'alumine ultrafine de haute pureté, dont la phase cristalline principale est l'α-Al₂O₃. Grâce à ses excellentes propriétés, telles qu'une résistance mécanique élevée, une dureté importante, une résistance aux hautes températures et à la corrosion, les céramiques d'alumine de haute pureté sont largement utilisées dans les secteurs de la mécanique, de l'électronique, des circuits intégrés, de la médecine et dans d'autres domaines.

Implantation ionique dans le processus de fabrication des semi-conducteurs
Dans la fabrication des semi-conducteurs, le procédé d'implantation ionique permet d'introduire avec précision des dopants dans les plaquettes de silicium afin de modifier leurs propriétés électriques. Cette étape cruciale implique cependant l'utilisation de nombreux gaz hautement toxiques et dangereux. Une fuite de ces gaz pourrait avoir des conséquences graves. Les technologies et équipements de pointe pour la surveillance des gaz constituent une barrière essentielle, agissant comme des sentinelles invisibles pour garantir la sécurité.










