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Cible WSi de 300 mm fiable pour des performances améliorées
Caractéristiques
Performances de pulvérisation élevées
Taux de pulvérisation élevé : une densité élevée (≥9,5 g/cm³) et une pureté élevée (≥99,995 %) améliorent l’efficacité de la pulvérisation et réduisent le coût du processus ;
Formation de film uniforme : Taille de puce contrôlable (généralement ≤ 50 μm) pour assurer l'uniformité de l'épaisseur de surface (non-uniformité ≤ 3 %) sur les grandes plaquettes ;
Faible pollution particulaire : la microstructure dense réduit le rejet de particules fines lors de la pulvérisation cathodique et améliore le rendement.
Compatibilité de la chimie et de la technologie
Résistance à l'oxydation et à la corrosion : résiste à l'oxydation à haute température et en environnement plasma, et est compatible avec les procédés difficiles tels que PVD/CVD ;
Contrôle des contraintes faibles : les contraintes internes du film peuvent être ajustées afin de réduire le risque de déformation de la plaquette et de défauts d’interface.
Haute sélectivité de gravure : Excellente sélectivité de gravure avec les couches de photorésine et diélectriques, simplifiant le processus graphique ;
Excellentes propriétés des couches minces
Faible résistivité : faible résistivité du film (environ 50–70 μΩ·cm), ce qui réduit considérablement la résistance d'interconnexion du circuit et améliore la vitesse de commutation du dispositif ;
Haute stabilité thermique : résistance aux hautes températures (>1000°C), maintien de la stabilité chimique lors des processus de recuit ultérieurs, inhibition de la diffusion des éléments ;
Forte adhésion interfaciale : Excellente liaison avec le substrat de silicium et la couche diélectrique SiO₂, évitant les problèmes de décollement du film.
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Application
Fabrication de semi-conducteurs
Ingénierie des grilles : remplacement du polysilicium par des grilles métalliques CMOS (comme les procédés de grille métallique à constante diélectrique élevée inférieurs à 28 nm) ;
Couche de contact : couche de contact ohmique de la source/drain du transistor (résistance de contact WSi/Si aussi faible que 10⁻⁷ Ω·cm²);
Interconnexion locale : une structure embolique qui relie le transistor à la première couche de métal (par exemple, une couche barrière de diffusion embolique en tungstène).
Fabrication de dispositifs de stockage
DRAM : La couche de contact entre l’électrode capacitive et la ligne de bits améliore la stabilité du stockage de charge ;
Mémoire NAND 3D : structure d’empilement de grilles à canaux verticaux, résistance aux hautes températures adaptée au processus de gravure par étapes ;
Semiconducteurs de puissance et composés
Dispositifs de puissance : métallisation de la grille des dispositifs SiC/GaN pour résister aux environnements de travail à haute température ;
Dispositifs RF : les couches minces à faible résistance réduisent la résistance parasite du dispositif et améliorent les performances à haute fréquence.
Autres domaines de pointe
Écran plat : dépôt en couche mince de la grille et de la ligne de signal du fond de panier TFT ;
Dispositifs résistants aux radiations : couches métalliques durcies aux radiations de composants électroniques aérospatiaux.
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