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Cible en alliage de tungstène et de titane de 300 mm (WTi)
Caractéristiques
performance cinématographique et adaptabilité du processus
Propriétés de barrière élevées : les films WTi ont un coefficient de diffusion très faible, ce qui peut empêcher efficacement la diffusion des atomes de cuivre (Cu) vers le substrat de silicium ou la couche diélectrique, et constituent un matériau de barrière de diffusion clé pour les interconnexions en cuivre dans les procédés avancés.
Forte adhérence : Les propriétés actives du Ti améliorent considérablement la force de liaison du film avec le substrat (tel que le SiO₂, les milieux à faible constante diélectrique) et le métal supérieur (tel que le Cu), et inhibent le décollement du film.
Faible résistivité : La structure optimisée des joints de grains rend la résistivité du film inférieure à celle du TiN pur et d'autres composés, réduisant ainsi la résistance de la ligne d'interconnexion ;
Stabilité du processus de pulvérisation cathodique
Structure de phase d'alliage uniforme : grâce à des matières premières de haute pureté et à des procédés d'homogénéisation, on assure une distribution homogène des composants cibles et on obtient une grande uniformité d'épaisseur et de composition du film.
Taux de pulvérisation élevé : une densité élevée et de faibles impuretés améliorent l’efficacité de la pulvérisation et réduisent les coûts de traitement ;
Contrôle anti-nodulage et d'arc : La taille de grain et la microstructure optimisées réduisent les projections de particules et les décharges anormales pendant la pulvérisation, assurant ainsi la stabilité du processus.
Chimie et stabilité thermique
Résistance à l'oxydation à haute température : Dans l'environnement à haute température de la cavité PVD (300-500°C), le film WTi maintient la stabilité structurelle et inhibe la dégradation des performances causée par l'oxydation.
Résistance à la corrosion : Il présente une forte résistance aux gaz de gravure et aux solutions de nettoyage humides afin de garantir la compatibilité avec les procédés ultérieurs.
Compatibilité flexible des processus
Compatibilité flexible des processus
Adaptation de la pulvérisation cathodique réactive : le film composite WTiN peut être pulvérisé dans une atmosphère mixte d’azote/argon pour améliorer encore les performances de barrière et la dureté.
Intégration de films multicouches : compatible avec Ta/TaN, Co, Ru et autres matériaux de films, prenant en charge la conception de structures laminées complexes.
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Application
Fabrication de semi-conducteurs
Puce logique : couche barrière de diffusion dans une grille métallique à haute constante diélectrique (HKMG). Couches barrières/d'adhérence clés de l'interconnexion Cu (par exemple, structure Cu/WTiN/Ti/Si) ;
Puce mémoire : DRAM : couche de contact d'électrode capacitive, couche de blocage de ligne de bits/mots ;
NAND 3D : couche d’adhérence conductrice des contacts en escalier ;
fabrication d'écrans plats
TFT-LCD/OLED : électrode source/fuite et couche de métallisation de grille du transistor à couches minces (TFT) ;
Panneau tactile : couche de renforcement conductrice sous l’ITO pour optimiser la sensibilité tactile ;
Semi-conducteurs composés et dispositifs de puissance
Dispositifs GaN/SiC : couches d’adhérence à contact ohmique,
Module de puissance : Couche barrière de diffusion métallisée sur la surface de la puce pour inhiber l’interdiffusion des éléments à haute température.
Tableau des propriétés
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