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Cible d'oxyde de zinc : excellentes propriétés de couche mince

Le matériau cible de pulvérisation cathodique ZnO est une céramique d'oxyde composée de zinc et d'oxygène, obtenue par frittage à haute température et spécialement conçue pour les revêtements par pulvérisation cathodique magnétronique dans les procédés de dépôt physique en phase vapeur. Sa formule chimique est ZnO et il s'agit d'un matériau semi-conducteur à large bande interdite largement utilisé en optoélectronique, dans les applications piézoélectriques et pour les films conducteurs transparents. Il revêt une importance particulière dans les technologies de pointe telles que les écrans, le photovoltaïque et les capteurs.

    propriétés des couches minces

    Transmittance et conductivité élevées : Transmittance élevée dans le domaine de la lumière visible, avec une résistivité encore réduite par dopage, convenant aux électrodes transparentes.

    Cristallinité : Il est possible de préparer des films de haute qualité avec une orientation préférentielle selon l'axe c, ce qui est bénéfique pour les performances piézoélectriques et optoélectriques.

    Capacité de formation de films à basse température : Peut être déposé à des températures plus basses (même à température ambiante), convient aux substrats flexibles et aux dispositifs sensibles à la température.

    Performances de pulvérisation

    Taux de pulvérisation et stabilité élevés : La haute densité et la haute pureté garantissent un processus de pulvérisation stable avec un taux de formation de film élevé.

    Uniformité et consistance : Des grains fins et uniformes (généralement ≤10μm) permettent la formation d'un film uniforme sur de grandes surfaces.

    Faibles défauts et contamination : La microstructure est dense et moins de particules sont produites lors du processus de pulvérisation cathodique, ce qui est bénéfique pour améliorer le rendement du dispositif.

    Chimie et diversité fonctionnelle

    Flexibilité du dopage : Les propriétés électriques peuvent être régulées par dopage avec des éléments tels que l’Al et le Ga pour obtenir une conductivité de type n.

    Propriétés piézoélectriques et thermoélectriques : Il possède de bons coefficients piézoélectriques et de bonnes réponses thermoélectriques, ce qui le rend adapté aux capteurs et aux dispositifs de récupération d’énergie.

    Stabilité chimique : Chimiquement stable à température ambiante, résistant à l'humidité et à l'oxydation, convient à divers environnements de traitement.

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    Optoélectronique et technologie d'affichage

    Films conducteurs transparents : utilisés comme électrodes transparentes dans les écrans tactiles, les écrans à cristaux liquides (LCD), les diodes électroluminescentes organiques (OLED), etc. (en remplacement de l'ITO).

    Cellules solaires : Servant de couches de fenêtre ou de couches tampon dans les cellules solaires à couches minces (telles que les cellules CIGS et pérovskites).

    Capteurs et dispositifs piézoélectriques

    Capteurs de gaz : Réponse sensible à divers gaz (tels que H₂, NO₂, éthanol, etc.), utilisés pour la surveillance environnementale et la détection de sécurité.

    Capteurs piézoélectriques et dispositifs à ondes acoustiques : utilisés dans les filtres à ondes acoustiques de surface (SAW) et les couches piézoélectriques des systèmes microélectromécaniques (MEMS).


    Dispositifs semi-conducteurs et optoélectroniques

    Photodétecteurs ultraviolets : utilisés pour la détection et l’imagerie de la lumière ultraviolette grâce à leurs caractéristiques de large bande interdite.

    Dispositifs électroluminescents : peuvent être utilisés dans les couches fonctionnelles des structures LED ultraviolettes et laser.



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