01
Nitruro de boro: material versátil para uso industrial
Alta estabilidade térmica
O h-BN pode soportar 2000 °C nunha atmosfera inerte e é estable ata 900 °C nun ambiente oxidativo;
O c-BN non se converte en h-BN por debaixo dos 1400 °C.
propiedades térmicas
O h-BN ten mellor condutividade térmica que o óxido de aluminio (ao longo do eixe c: 400 W/m·K, perpendicular ao eixe c: 30 W/m·K);
Baixo coeficiente de expansión térmica (h-BN: ao longo do eixe c -2,7×10⁻⁶/°C, perpendicular ao eixe c 38×10⁻⁶/°C);
propiedades mecánicas
O h-BN ten baixa dureza (dureza Mohs ~2) e forte maquinabilidade; a dureza do c-BN só é superada polo diamante;
O h-BN ten unha excelente resistencia aos choques térmicos (debido ao seu baixo módulo de elasticidade).
propiedades eléctricas
O h-BN é un illante de alta calidade (resistividade > 10¹⁴ Ω·cm, constante dieléctrica ~4);
o c-BN é un semicondutor de banda prohibida ampla (ancho da banda prohibida ~6,4 eV);
Inercia química
Resistente á erosión dos metais fundidos (como o aluminio e o cobre), non reacciona con ácidos/bases (agás o ácido sulfúrico concentrado e o álcali fundido);
propiedades térmicas
O h-BN ten mellor condutividade térmica que o óxido de aluminio (ao longo do eixe c: 400 W/m·K, perpendicular ao eixe c: 30 W/m·K);
Baixo coeficiente de expansión térmica (h-BN: ao longo do eixe c -2,7×10⁻⁶/°C, perpendicular ao eixe c 38×10⁻⁶/°C);
propiedades mecánicas
O h-BN ten baixa dureza (dureza Mohs ~2) e forte maquinabilidade; a dureza do c-BN só é superada polo diamante;
O h-BN ten unha excelente resistencia aos choques térmicos (debido ao seu baixo módulo de elasticidade).
propiedades eléctricas
O h-BN é un illante de alta calidade (resistividade > 10¹⁴ Ω·cm, constante dieléctrica ~4);
o c-BN é un semicondutor de banda prohibida ampla (ancho da banda prohibida ~6,4 eV);
Inercia química
Resistente á erosión dos metais fundidos (como o aluminio e o cobre), non reacciona con ácidos/bases (agás o ácido sulfúrico concentrado e o álcali fundido);
Electrónica e semicondutores
Substrato de disipación de calor: a cerámica h-BN úsase como disipadores de calor illantes para LED de alta potencia e dispositivos RF;
Equipamento semicondutor: os crisois de PBN utilízanse para o crecemento de monocristais de GaAs e GaN;
Materiais para ventás de microondas: o h-BN ten boa transparencia e utilízase en dispositivos de radar e plasma;
Equipamento semicondutor: os crisois de PBN utilízanse para o crecemento de monocristais de GaAs e GaN;
Materiais para ventás de microondas: o h-BN ten boa transparencia e utilízase en dispositivos de radar e plasma;
Alta temperatura e metalurxia
Fundición continua: h-BN como anel separador para evitar que o aceiro fundido se pegue;
Tubo de protección do termopar: resistente á corrosión do aluminio fundido e do magnesio;
Ferramentas mecánicas
Lubricantes: o po de h-BN úsase para a lubricación a alta temperatura de engrenaxes e rolamentos (como substituto do grafito en ambientes oxidativos);
Ferramentas superduras: ferramentas de corte c-BN para o mecanizado de aceiro temperado e ferro fundido.
O h-BN ten unha excelente resistencia aos choques térmicos (debido ao seu baixo módulo de elasticidade).
Enerxía neuronal e aeroespacial
Lubricantes: o po de h-BN úsase para a lubricación a alta temperatura de engrenaxes e rolamentos (como substituto do grafito en ambientes oxidativos);
Ferramentas superduras: ferramentas de corte c-BN para o mecanizado de aceiro temperado e ferro fundido.
