Novas da empresa

Entre os moitos materiais semicondutores de banda prohibida ampla, o carburo de silicio (SiC) converteuse nun material que atraeu moita atención, especialmente no campo da conversión de alta potencia. Úsase amplamente en inversores de tracción e cargadores a bordo para vehículos eléctricos (VE), así como en sectores de infraestruturas como a carga rápida de CC, os inversores solares, os sistemas de almacenamento de enerxía e as fontes de alimentación ininterrompida (SAI). Aínda que o carburo de silicio se leva utilizando na produción en masa durante máis de cen anos, inicialmente principalmente como material abrasivo, tamén demostrou un excelente rendemento para aplicacións de alta tensión e alta potencia.

Na percepción colectiva, a cerámica considérase un artigo fráxil. Non obstante, tras o seu procesamento con tecnoloxía moderna, a cerámica experimentou unha transformación notable nun novo material duro e de alta resistencia. Isto é particularmente evidente no campo da protección balística, onde a cerámica brillou con forza, converténdose nun material moi solicitado para aplicacións a proba de balas.

carburo de boro é un material cerámico sen óxido que se emprega amplamente nos campos da enerxía, o exército, a enerxía nuclear e as aplicacións a proba de balas debido ao seu alto punto de fusión, alta dureza, baixa densidade, boa estabilidade térmica, forte resistencia á erosión química e forte capacidade de absorción de neutróns. Coñecido como diamante negro, o carburo de boro é o terceiro material máis duro, despois do diamante e do nitruro de boro cúbico, o que o converte nun membro importante da familia de materiais superduros.

Desde que entramos no século XXI, co rápido desenvolvemento da tecnoloxía electrónica, o nivel de integración e a densidade de montaxe dos compoñentes electrónicos mellorou continuamente, o que converte a disipación da calor nun factor clave que afecta o rendemento e a fiabilidade dos dispositivos. Tomando como exemplo os envases LED de alta potencia, só entre o 20 % e o 30 % da potencia de entrada se converte en enerxía luminosa, mentres que o 70 % a 80 % restante se converte en calor. A acumulación desta gran cantidade de calor pode ter consecuencias graves.

Na acelerada era tecnolóxica actual, o campo dos materiais semicondutores está a experimentar unha profunda transformación. O material semicondutor de banda ancha de terceira xeración, o carburo de silicio (SiC), está a recibir unha atención significativa a nivel mundial debido ás súas excepcionais propiedades físicas e está a emerxer de forma destacada en diversas aplicacións de alta tecnoloxía.

Na era do 5G, a industria dos teléfonos intelixentes está a experimentar unha transformación, coa cerámica de circonio emerxendo como un material predilecto para os seus respaldos nesta rolda de remodelación tecnolóxica. En 2018, o lanzamento do teléfono de Xiaomi nunha cor coñecida como "Verde Xade" marcou o comezo da era dos teléfonos intelixentes cerámicos de cores, familiarizando gradualmente o público coa circonio de cores.

Nitruro de boro é un cristal composto por átomos de nitróxeno e boro. Ademais do nitruro de boro hexagonal común (h-BN ou grafito branco), existen variantes como o nitruro de boro cúbico (CBN), o nitruro de boro romboédrico (RBN) e o nitruro de boro wurtzita (WBN). Os científicos incluso descubriron cristais de nitruro de boro bidimensionais con propiedades similares ás do grafeno.

O nitruro de silicio é un composto inorgánico coa fórmula química Si₃N₄É insoluble en auga, cun peso molecular de 140,283 e ten unha cor gris ou branca agrisada. Pertence a unha clase de compostos insolubles a alta temperatura, que non presentan punto de fusión e unha forte resistencia á fluencia a alta temperatura. A súa solubilidade está limitada ao ácido fluorhídrico e ao ácido fosfórico quente, xa que non reacciona con outros ácidos inorgánicos, o que demostra unha alta resistencia á corrosión. Nitruro de silicio (Si₃N₄) existe en tres formas cristalográficas: fases α, β e γ. As fases α e β son as formas máis comúns de Si₃N₄ e pódese sintetizar a presión atmosférica. A fase γ só se pode obter en condicións de alta presión e alta temperatura, cunha dureza que pode alcanzar os 35 GPa.

No contexto da transición enerxética global e da onda acelerada da electrificación, o carburo de silicio (SiC), como representante central dos semicondutores de terceira xeración, está a avanzar estratexicamente desde a innovación de materiais ata a reestruturación industrial. As súas excepcionais propiedades de resistencia a alta tensión, durabilidade a altas temperaturas e baixas perdas facilitan a rápida penetración en sectores como os vehículos eléctricos, a electrónica de potencia de alta gama, a industria aeroespacial e as comunicacións de datos. Espérase que para 2024 o mercado global de SiC alcance os 2.944 millóns de dólares e proxéctase que supere os 14.200 millóns de dólares para 2029, cunha taxa de crecemento anual composta do 34,9 % en cinco anos, o que o converte nunha das áreas de crecemento máis forte dentro do mercado de semicondutores de banda ancha. Este informe realiza unha análise sistemática da estrutura do mercado, a cadea industrial, a evolución rexional, o comportamento dos clientes e as oportunidades estratéxicas, co obxectivo de proporcionar información prospectiva e apoio empírico para as estratexias corporativas, os investimentos de capital e a formulación de políticas.

alúmina desempeñou durante moito tempo un papel importante na economía nacional como materia prima para produtos de aluminio e como material complementario en industrias tradicionais como a petroquímica e a maquinaria. Actualmente, coa aparición continua e o rápido desenvolvemento de industrias emerxentes como a comunicación, as novas enerxías e os semicondutores, a demanda de novos materiais de alto rendemento volveuse cada vez máis forte. Certos produtos de alúmina de alta gama gañaron forza neste contexto, especialmente nos mercados de billóns de dólares das novas enerxías e os semicondutores, onde a alúmina se converteu nun material fundamental fundamental.