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Obxectivo de aliaxe CrSi: personalizable segundo diferentes especificacións
Características funcionais das películas delgadas
Características de resistencia controlables: as películas delgadas de CrSi teñen un amplo rango de resistividade, o que permite unha preparación de resistencias de alta precisión mediante o axuste da composición.
Alta estabilidade térmica: mantén propiedades eléctricas estables en ambientes de alta temperatura (≤800 °C), o que o fai axeitado para dispositivos de alta temperatura.
Forte adhesión e resistencia á corrosión: forte unión con substratos cerámicos e de silicio e resistencia á corrosión ambiental ácida e oxidativa.
Rendemento eficiente da pulverización catódica
Rendemento eficiente da pulverización catódica
Estrutura uniforme da aliaxe: a alta densidade e a baixa porosidade garanten unha composición uniforme e consistente da película de pulverización catódica.
Defectos de pulverización catódica baixa: a alta pureza (≥99,9 %) e o baixo contido de impurezas (contido de osíxeno ≤600 ppm) reducen os defectos de formación de película.
Boa capacidade de control da cristalización: a estrutura cristalina/amorfa da película fina pódese axustar mediante parámetros de proceso para adaptarse ás diferentes necesidades da aplicación.
Compatibilidade de oficios e integración
Compatibilidade de oficios e integración
Capacidade de deposición de películas a baixa temperatura: pódese depositar a ≤200 °C, compatible con procesos de semicondutores baseados en silicio sensibles á temperatura.
Gravado e creación de gráficos: Compatible con procesos de gravado en seco/húmido con alta precisión gráfica para micromecanizado.
Compatible cos procesos de semicondutores: libre de elementos contaminantes (por exemplo, sodio, potasio), cumpre os requisitos da fabricación de circuítos integrados.
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Semicondutores e microelectrónica
Materiais de resistencia de película fina: úsanse en resistencias de película fina de alta precisión (por exemplo, resistencias de chip, resistencias de carga de circuítos integrados) para proporcionar un coeficiente de temperatura (TCR) estable.
Barreira de difusión: Suprime a difusión do cobre nas estruturas de interconexión de cobre para mellorar a fiabilidade do dispositivo.
Memoria de cambio de fase: como capa de contacto de eléctrodos da memoria de cambio de fase da serie Ge-Sb-Te.
Sensores e dispositivos funcionais
Sensores de temperatura: as películas finas de CrSi utilízanse para preparar sensores de temperatura de alta sensibilidade (por exemplo, electrónica automotriz, sistemas industriais de control de temperatura).
Capa de detección de deformación: utilízase como material piezorresistivo en dispositivos MEMS para lograr a conversión do sinal de tensión mecánica.
Fotodetector: o eléctrodo de contacto e a capa de transmisión de sinal empregada nos detectores de infravermellos.
Novas enerxías e tecnoloxía óptica
Electrodos de células solares: actúan como a capa de contacto traseira ou a capa de soporte de óxido condutor transparente (TCO) para as células solares de película fina.
Película controlada opticamente: úsase como capa reflectante ou capa de regulación da absorción para a óptica infravermella.
Material do cabezal de gravación magnético: úsase como material de chumbo ou blindaxe no cabezal do disco duro.
Empaquetado a nivel de oblea: úsase para resistencias e capas de illamento para tecnoloxías de empaquetado avanzadas como U-Chip e TSV.
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