Leave Your Message

Obxectivo de tungsteno de alta pureza de 300 mm de ancho

Os materiais obxectivo de aliaxe W fabrícanse a partir de volframio (W) de alta pureza combinado con outros metais como o titanio e as aliaxes de titanio-volframio para crear obxectivos de pulverización catódica, deseñados especificamente para procesos de deposición física de vapor (PVD) como a pulverización catódica con magnetrón. O seu alto punto de fusión, excelente estabilidade térmica e boa condutividade fan que sexan vitais para aplicacións en campos como circuítos integrados de semicondutores, revestimentos de alta temperatura, pantallas avanzadas e novas enerxías.

    características

    Excelente calidade e estabilidade da formación da película

    A película formada ten unha estabilidade térmica e unha inercia química extremadamente altas, é resistente á oxidación a altas temperaturas e pode funcionar a temperaturas superiores a 1000 °C;

    A capa de película é densa e uniforme, con forte adhesión, compatible con varios substratos (como silicio, vidro, cerámica, etc.) e non é propensa a pelarse;

    Tendo baixa resistividade e boa condutividade térmica, o que o fai axeitado para dispositivos electrónicos de alta potencia e alta frecuencia.

    Rendemento eficiente do proceso de revestimento

    A taxa de pulverización catódica é alta, a reproducibilidade do proceso é boa e a taxa de utilización do material obxectivo é alta, o que a fai axeitada para a produción continua a grande escala;

    O tamaño de gran é pequeno e uniforme (normalmente controlado entre 10 e 40 μm), con baixa rugosidade superficial e poucos defectos;

    Presenta boa estabilidade e consistencia da deposición en procesos como a pulverización catódica con magnetrón de corrente continua e HiPIMS.

    Ampla gama de adaptabilidade ambiental e de procesos

    Resistencia a ácidos e á corrosión, rendemento estable na maioría dos procesos húmidos e de plasma;

    Admite a deposición a baixa temperatura (pode ser inferior a 200 °C), axeitado para dispositivos funcionais sensibles á calor e substratos flexibles;

    Compatible con procesos de litografía (como litografía, gravado, CMP) para satisfacer as necesidades de integración en varios pasos da fabricación de semicondutores.

    descrición2

    Aplicación

    Semicondutores e microelectrónica

    Capas de barreira e adhesión: barreiras de difusión (por exemplo, aliaxes W/TiW) na tecnoloxía de interconexión de cobre para evitar a migración do cobre.

    Recheo de buratos de porta e contacto: úsase como materiais de interconexión local e buratos de contacto en chips de memoria e lóxica avanzados.

    Revestimentos protectores e para altas temperaturas

    Protección de compoñentes a alta temperatura: Revestimentos anticorrosión e oxidación para compoñentes a alta temperatura, como motores aeronáuticos e palas de turbinas de gas.

    Fortalecemento de ferramentas e matrices: o revestimento superficial das ferramentas de corte e dos moldes de fundición a presión mellora significativamente a resistencia ao desgaste e a vida útil.

    Dispositivos de visualización e ópticos

    Electrodos de transistor de película fina (TFT): portas e liñas de sinal utilizadas en paneis de pantalla LCD/OLED de alta resolución.

    Obxectivos de raios X e máscaras ópticas: como capas de bloqueo de raios de alta enerxía e transferencia de patróns en sistemas de imaxe médica e litografía.

    Nova enerxía e sensores

    Eléctrodos de células fotovoltaicas: o eléctrodo traseiro e a capa condutora transparente das células solares de película fina (como as células CIGS).

    Capa estrutural de MEMS e sensores: úsase para películas condutoras e estruturais en sistemas micromecánicos como sensores de presión e acelerómetros.

    descrición2

    Obxectivo W

    Make an free consultant

    Your Name*

    Phone Number

    Country

    Remarks*