Obxectivo de óxido de zinc e magnesio: amplamente utilizado en optoelectrónica UV

propiedades optoelectrónicas axustables

Banda prohibida axustable: Ao cambiar a relación de dopaxe do Mg (valor x), a banda prohibida pódese axustar continuamente entre 3,37 eV para o ZnO e 7,8 eV para o MgO, o que é clave para a realización de dispositivos fotónicos ultravioleta.

Alta transmitancia da luz visible: o material mantén a alta transparencia do ZnO, cunha transmitancia superior ao 80 % na rexión da luz visible, o que o fai axeitado para dispositivos electrónicos transparentes.

Excelente calidade cristalina: baixo un contido de Mg e condicións de procesamento axeitadas, pódense formar películas cristalinas de estrutura wurtzita hexagonal de alta calidade, o que garante o rendemento do dispositivo.

Alto rendemento de pulverización catódica

Estrutura densa e uniforme: a alta densidade (≥5,6 g/cm³) e a alta pureza (≥99,99 %) garanten un proceso de pulverización catódica estable, unha alta calidade da película e unha xeración mínima de partículas.

Estabilidade da composición: a tecnoloxía avanzada de sinterización garante que os elementos de Zn e Mg se distribúan uniformemente no material obxectivo, o que permite unha transferencia precisa da composición durante o proceso de pulverización catódica, garantindo a consistencia da composición da película fina.

Excelente compatibilidade de procesos: pódese depositar en condicións de temperatura ambiente a media, compatible con varios procesos de semicondutores.

propiedades físicas e químicas melloradas

Alta estabilidade térmica e química: a introdución de MgO mellora a estabilidade térmica e a resistencia á corrosión do material, o que o fai axeitado para ambientes de traballo máis duros.

Alta resistividade: a película intrínseca de MZO ten unha alta resistividade, o que a converte nunha opción ideal para preparar capas tampón en dispositivos semicondutores. A condutividade pódese conseguir mediante o dopado con elementos como Al e Ga, o que permite aplicacións flexibles.

fotodetector ultravioleta

Detección ultravioleta cega ao día: o intervalo de banda das películas de MZO con alto contido de Mg (x ~ 0,5) pódese axustar a máis de 4,9 eV, o que corresponde ao rango ultravioleta "cego ao día" (240-280 nm). Estas películas pódense utilizar en áreas como sistemas de alerta temperá de mísiles, vixilancia de incendios e comunicacións confidenciais fóra da liña de visión, onde se require unha relación sinal-ruído moi alta.

Tecnoloxía de emisión de luz e visualización

Dispositivos LED: Como capa barreira na estrutura do pozo cuántico, forman unha heterounión co ZnO, que se emprega para a fabricación de díodos emisores de luz ultravioleta e azul (LED) e díodos láser (LD).

Transistores de película fina para pantallas: empregados na capa de canles das placas traseiras de pantallas flexibles transparentes, o seu intervalo de banda sintonizable axuda a reducir a corrente de estado desactivado do dispositivo e a mellorar a relación de conmutación.

Células solares de película fina

Materiais da capa tampón: como capa tampón libre de cadmio (libre de Cd) en células solares de película fina como o seleniuro de cobre, indio e galio (CIGS), as características da banda prohibida sintonizable poden coincidir mellor coas bandas de enerxía da capa absorbente e da capa da xanela, reducindo así as perdas por recombinación da interface e mellorando a eficiencia de conversión das células.

Detección e sensores de radiación

Detección de raios X e partículas de alta enerxía: as características de banda prohibida ampla permítenlle soportar unha radiación forte, o que o fai axeitado para paneis de imaxes de raios X e dispositivos de detección de radiación en experimentos de física de alta enerxía.

Sensores de gas: estes sensores presentan unha resposta eléctrica ou óptica sensible a certos gases, o que permite aplicacións na monitorización ambiental.