Categorías de produtos

Produtos destacados

Obxectivo de tungsteno de alta pureza de 300 mm de ancho

Obxectivo de aliaxe de titanio e tungsteno 300 mm Obxectivo WTi

Obxectivo WSi fiable de 300 mm para un rendemento mellorado

Obxectivo de Cr de alta pureza de 300 mm para aplicacións de precisión

Liga de ferro, cobalto e tántalo, FeCoTa

Obxectivo da aliaxe de MoSi: excelente uniformidade da película

Obxectivo da aliaxe MoTi: material do núcleo para revestimento duro

Obxectivo de aliaxe CrSi: personalizable segundo diferentes especificacións

Obxectivo de molibdeno: usado especificamente para o revestimento por pulverización catódica

Obxectivo de carburo de boro: especial para PVD

0102030405

Obxectivo da aliaxe de MoSi: excelente uniformidade da película

Os materiais obxectivo de aliaxe de MoSi son obxectivos de pulverización catódica feitos de molibdeno (Mo) e silicio (Si) de alta pureza en proporcións precisas, deseñados especificamente para procesos de deposición física de vapor (PVD) como a pulverización catódica con magnetrón. As súas propiedades eléctricas únicas, a estabilidade a alta temperatura e a boa uniformidade da película fan que sexan de gran importancia en campos como os circuítos integrados de semicondutores, as tecnoloxías avanzadas de visualización, os revestimentos protectores de alta temperatura e as películas funcionais ópticas.

Contacta connosco

Características

Propiedades da película

Baixa resistividade: as películas de MoSi teñen baixa resistividade, o que as fai axeitadas para os requisitos de capa condutora de alto rendemento.

Estabilidade a altas temperaturas: pode manter a estabilidade estrutural en ambientes de altas temperaturas, cunha forte resistencia á oxidación e pode manter o seu rendemento en procesos de altas temperaturas.

Adhesión: forte unión con substratos como os de base de silicona, vidro e óxidos, axeitada como capa de transición ou funcional.

Rendemento eficiente da pulverización catódica

Baixa resistividade: as películas de MoSi teñen baixa resistividade, o que as fai axeitadas para os requisitos de capa condutora de alto rendemento.

Boa adhesión: forte unión con substratos como os de base de silicona, vidro e óxidos, axeitada como capa de transición ou funcional.

Compatibilidade química e funcional

Resistencia á oxidación e á corrosión: Forma unha densa capa protectora de SiO₂ na superficie en aire a alta temperatura, o que impide unha maior oxidación.

Rendemento de gravado: Compatible cos procesos litográficos habituais, tanto o gravado en seco como o en húmido permite conseguir gráficos de alta precisión.

Contido de silicio axustable: Axustando a relación Mo/Si, pódese adaptar aos requisitos eléctricos e ópticos de diferentes escenarios de aplicación.

descrición2

Aplicación

Semicondutores e microelectrónica

Materiais de porta e interconexión: úsanse para eléctrodos de porta e capas de interconexión local en circuítos integrados, especialmente para procesos de alta temperatura.

Capa de barreira de difusión: bloquea eficazmente a difusión de átomos metálicos, mellorando a fiabilidade e a lonxevidade do dispositivo.

Rendemento eficiente da pulverización catódica

Baixa resistividade: as películas de MoSi teñen baixa resistividade, o que as fai axeitadas para os requisitos de capa condutora de alto rendemento.

Boa adhesión: forte unión con substratos como os de base de silicona, vidro e óxidos, axeitada como capa de transición ou funcional.

Compatibilidade química e funcional

Resistencia á oxidación e á corrosión: Forma unha densa capa protectora de SiO₂ na superficie en aire a alta temperatura, o que impide unha maior oxidación.

Rendemento de gravado: Compatible cos procesos litográficos habituais, tanto o gravado en seco como o en húmido permite conseguir gráficos de alta precisión.

Contido de silicio axustable: Axustando a relación Mo/Si, pódese adaptar aos requisitos eléctricos e ópticos de diferentes escenarios de aplicación.

descrición2