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Obxectivo WSi fiable de 300 mm para un rendemento mellorado
Características
Alto rendemento de pulverización catódica
Alta taxa de pulverización catódica: a alta densidade (≥9,5 g/cm³) e a alta pureza (≥99,995 %) melloran a eficiencia da pulverización catódica e reducen o custo do proceso;
Formación uniforme da película: tamaño da matriz controlable (normalmente ≤ 50 μm) para garantir a uniformidade do grosor da superficie (non uniformidade ≤ 3 %) en obleas grandes;
Baixa contaminación por partículas: a microestrutura densa reduce a liberación de partículas finas durante a pulverización catódica e mellora o rendemento.
Compatibilidade entre química e tecnoloxía
Resistencia antioxidante e á corrosión: resiste a oxidación a altas temperaturas e en ambientes de plasma, e é compatible con procesos agresivos como PVD/CVD;
Control de baixa tensión: a tensión interna da película pódese axustar para reducir o risco de deformación da oblea e defectos na interface.
Alta selectividade de gravado: excelente selectividade de gravado con capas de fotorresina e dieléctricas, o que simplifica o proceso gráfico;
Excelentes propiedades de película fina
Baixa resistividade: baixa resistividade da película (uns 50–70 μΩ·cm), o que reduce significativamente a resistencia de interconexión do circuíto e mellora a velocidade de conmutación do dispositivo;
Alta estabilidade térmica: alta resistencia á temperatura (>1000 °C), mantendo a estabilidade química nos procesos de recocido posteriores, inhibindo a difusión elemental;
Forte adhesión interfacial: excelente unión co substrato de silicio e a capa dieléctrica de SiO₂, evitando problemas de desprendimento da película.
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Aplicación
Fabricación de semicondutores
Enxeñaría de portas: substitución do polisilicio por portas metálicas CMOS (como os procesos de portas metálicas de alta K por debaixo de 28 nm);
Capa de contacto: capa de contacto óhmico da fonte/dreno do transistor (resistencia de contacto WSi/Si de ata 10⁻⁷ Ω·cm²);
Interconexión local: unha estrutura embólica que conecta o transistor á primeira capa de metal (por exemplo, unha capa de barreira de difusión embólica de tungsteno).
Fabricación de dispositivos de almacenamento
DRAM: A capa de contacto entre o eléctrodo capacitivo e a liña de bits mellora a estabilidade do almacenamento de carga;
3D NAND: estrutura de apilamento de portas de canles verticais, resistencia a altas temperaturas axeitada para procesos de gravado escalonados;
Semicondutores de potencia e compostos
Dispositivos de potencia: metalización da porta de dispositivos de SiC/GaN para soportar ambientes de traballo a altas temperaturas;
Dispositivos de RF: as películas finas de baixa resistencia reducen a resistencia parasitaria do dispositivo e melloran o rendemento de alta frecuencia.
Outros campos de alta gama
Pantalla plana: a deposición de película fina da porta e a liña de sinal do plano posterior TFT;
Dispositivos resistentes á irradiación: capas metálicas endurecidas pola radiación de compoñentes electrónicos aeroespaciais.
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