01
Carburo de silicio: o futuro dos materiais de alto rendemento
Pureza ultraalta e composición controlable
Pureza ≥4N (99,99%) para garantir que a película depositada estea libre de contaminación por impurezas e cumpra os requisitos dos procesos a nivel de semicondutores; Baixo contido de osíxeno (
Estabilidade ambiental extrema
Resistencia a altas temperaturas, punto de fusión > 2700 °C, sen deformación por fusión baixo bombardeo de plasma de alta enerxía PVD; e é resistente á erosión do plasma, a taxa de corrosión superficial é moito menor que a dos obxectivos metálicos, a vida útil aumenta de 3 a 5 veces e a frecuencia de apagado e cambio de obxectivo redúcese. Tamén é quimicamente inerte, resistente á corrosión de Ar, N₂, O₂ e outros gases de proceso, e non produce contaminación por subprodutos.
Fiabilidade mecánica e térmica
Alta dureza (Hv>2500), resistente á tensión de suxeición e aos choques térmicos de refrixeración na parte traseira, anti-fendas; Ademais, tamén ten un baixo coeficiente de expansión térmica, o que combina ben coa placa traseira de cobre/molibdeno e reduce o risco de delaminación por ciclos térmicos. E ten alta condutividade térmica, disipación eficiente da calor e evita a segregación de compoñentes causada polo sobrequecemento local.
Pureza ≥4N (99,99%) para garantir que a película depositada estea libre de contaminación por impurezas e cumpra os requisitos dos procesos a nivel de semicondutores; Baixo contido de osíxeno (
Estabilidade ambiental extrema
Resistencia a altas temperaturas, punto de fusión > 2700 °C, sen deformación por fusión baixo bombardeo de plasma de alta enerxía PVD; e é resistente á erosión do plasma, a taxa de corrosión superficial é moito menor que a dos obxectivos metálicos, a vida útil aumenta de 3 a 5 veces e a frecuencia de apagado e cambio de obxectivo redúcese. Tamén é quimicamente inerte, resistente á corrosión de Ar, N₂, O₂ e outros gases de proceso, e non produce contaminación por subprodutos.
Fiabilidade mecánica e térmica
Alta dureza (Hv>2500), resistente á tensión de suxeición e aos choques térmicos de refrixeración na parte traseira, anti-fendas; Ademais, tamén ten un baixo coeficiente de expansión térmica, o que combina ben coa placa traseira de cobre/molibdeno e reduce o risco de delaminación por ciclos térmicos. E ten alta condutividade térmica, disipación eficiente da calor e evita a segregación de compoñentes causada polo sobrequecemento local.
Fabricación de semicondutores
Películas e revestimentos funcionais
Óptica e sensores
Dispositivos de alimentación: as películas finas de SiC úsanse en capas de pasivación de díodos Schottky e medios de porta MOSFET para mellorar a resistencia á tensión e a fiabilidade;
Capa de pasivación superficial en dispositivos HEMT de GaN para inhibir o colapso da corrente;
Capa de pasivación superficial en dispositivos HEMT de GaN para inhibir o colapso da corrente;
Epitaxia de semicondutores de terceira xeración: como capa tampón/modelo, cultivar obleas epitaxiais de SiC de alta calidade.
Películas e revestimentos funcionais
Revestimento resistente ao desgaste: película de SiC depositada na superficie de ferramentas e rolamentos;
Revestimento do revestimento do reactor nuclear: revestimento composto de SiC;
Protección térmica aeroespacial: revestimento antioxidante de SiC nos compoñentes do motor.
Óptica e sensores
Película antirreflexo para xanela infravermella: a película de SiC úsase para compoñentes ópticos infravermellos na banda de 3-5 μm;
Capa de pasivación do sensor MEMS: contacto con medios resistente á corrosión (biochip, sensor químico).
