01
Obxectivo de aliaxe de titanio e tungsteno 300 mm Obxectivo WTi
Características
Rendemento da película e adaptabilidade do proceso
Propiedades de barreira elevadas: as películas de WTi teñen un coeficiente de difusión moi baixo, o que pode evitar eficazmente a difusión de átomos de cobre (Cu) ao substrato de silicio ou á capa dieléctrica, e é un material de barreira de difusión clave para interconexións de cobre en procesos avanzados.
Forte adhesión: as propiedades activas do Ti melloran significativamente a forza de unión da película co substrato (como SiO₂, medios de baixa k) e o metal superior (como o Cu) e inhiben o desprendimento da película.
Baixa resistividade: a estrutura optimizada do límite de gran fai que a resistividade da película sexa inferior á do TiN puro e outros compostos, o que reduce a resistencia da liña de interconexión;
Estabilidade do proceso de pulverización catódica
Estrutura uniforme da fase da aliaxe: mediante materias primas de alta pureza e procesos de homoxeneización, garante a distribución consistente dos compoñentes obxectivo e consegue unha alta uniformidade do grosor da película e dos compoñentes.
Alta taxa de pulverización catódica: a alta densidade e as baixas impurezas melloran a eficiencia da pulverización catódica e reducen os custos do proceso;
Control antinodulación e de arco: o tamaño de gran e a microestrutura optimizados reducen as salpicaduras de partículas e a descarga anormal durante a pulverización catódica, garantindo a estabilidade do proceso.
Química e estabilidade térmica
Resistencia á oxidación a altas temperaturas: no ambiente de altas temperaturas da cavidade PVD (300-500 °C), a película WTi mantén a estabilidade estrutural e inhibe a degradación do rendemento causada pola oxidación.
Resistencia á corrosión: Ten unha forte resistencia ao gas de gravado e á solución de limpeza húmida para garantir a compatibilidade do proceso posterior.
Compatibilidade flexible de procesos
Compatibilidade flexible de procesos
Adaptación da pulverización catódica de reacción: a película composta de WTiN pódese pulverizar catódicamente nunha atmosfera mixta de nitróxeno/argon para mellorar aínda máis o rendemento da barreira e a dureza.
Integración de películas multicapa: compatible con Ta/TaN, Co, Ru e outros materiais de película, o que permite o deseño de estruturas laminadas complexas.
descrición2
Aplicación
Fabricación de semicondutores
Chip lóxico: capa de barreira de difusión nunha porta metálica de alta k (HKMG). Capas clave de barreira/adhesión de interconexión de Cu (por exemplo, estrutura Cu/WTiN/Ti/Si);
Chip de memoria: DRAM: capa de contacto de eléctrodos capacitivos, capa de bloqueo de liñas de bits/palabras;
3D NAND: capa de adhesión condutiva dos contactos das escaleiras;
Fabricación de pantallas planas
TFT-LCD/OLED: eléctrodo de fonte/fuga e capa de metalización da porta do transistor de película fina (TFT);
Panel táctil: capa de reforzo condutiva debaixo do ITO para optimizar a sensibilidade táctil;
Semicondutores compostos e dispositivos de potencia
Dispositivos de GaN/SiC: capas de adhesión con contacto óhmico,
Módulo de alimentación: capa de barreira de difusión metalizada na superficie do chip para inhibir a interdifusión elemental a altas temperaturas.
Táboa de propiedades
descrición2