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Bersaglio in tungsteno ad alta purezza 300mm W Target

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Bersaglio in lega di tungsteno e titanio 300mm WTi Target

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Affidabile bersaglio WSi da 300 mm per prestazioni migliorate

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Target Cr da 300 mm ad alta purezza per applicazioni di precisione

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Lega di ferro cobalto tantalio FeCoTa

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Obiettivo della lega MoSi: eccellente uniformità del film

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Obiettivo della lega MoTi: materiale del nucleo per rivestimento duro

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Obiettivo in lega CrSi: personalizzabile in base a specifiche diverse

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Target di molibdeno: utilizzato specificatamente per il rivestimento a spruzzo

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Bersaglio in carburo di boro: speciale per PVD

Bersaglio in carburo di boro: speciale per PVD
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W target(1).png
W target.jpg

Bersaglio in tungsteno ad alta purezza 300mm W Target

I materiali target in lega W sono realizzati in tungsteno (W) ad alta purezza combinato con altri metalli come titanio e leghe titanio-tungsteno per creare target per sputtering, specificamente progettati per processi di deposizione fisica da vapore (PVD) come lo sputtering magnetron. Il loro elevato punto di fusione, l'eccellente stabilità termica e la buona conduttività li rendono essenziali per applicazioni in settori come i circuiti integrati a semiconduttore, i rivestimenti ad alta temperatura, i display avanzati e le nuove energie.

    Contattaci

    caratteristiche

    Eccellente qualità e stabilità della formazione del film
    La pellicola formata ha un'elevatissima stabilità termica e inerzia chimica, è resistente all'ossidazione ad alta temperatura e può funzionare a temperature superiori a 1000°C;

    Lo strato di pellicola è denso e uniforme, con forte adesione, compatibile con vari substrati (come silicio, vetro, ceramica, ecc.) e non soggetto a sfaldamento;

    Grazie alla bassa resistività e alla buona conduttività termica, è adatto per dispositivi elettronici ad alta potenza e alta frequenza.

    Prestazioni efficienti del processo di rivestimento

    La velocità di sputtering è elevata, la riproducibilità del processo è buona e il tasso di utilizzo del materiale target è elevato, rendendolo adatto alla produzione continua su larga scala;

    La granulometria è piccola e uniforme (solitamente controllata tra 10–40 μm), con bassa rugosità superficiale e pochi difetti;

    Presenta una buona stabilità e coerenza di deposizione in processi quali lo sputtering magnetron DC e HiPIMS.

    Ampia gamma di adattabilità ambientale e di processo

    Resistenza agli acidi e alla corrosione, prestazioni stabili nella maggior parte dei processi a umido e al plasma;

    Supporta la deposizione a bassa temperatura (può essere inferiore a 200°C), adatto per dispositivi funzionali sensibili al calore e substrati flessibili;

    Compatibile con i processi litografici (come litografia, incisione, CMP) per soddisfare le esigenze di integrazione multifase della produzione di semiconduttori.

    descrizione2

    Applicazione

    Semiconduttori e microelettronica

    Strati barriera e di adesione: barriere di diffusione (ad esempio, leghe W/TiW) nella tecnologia di interconnessione in rame per impedire la migrazione del rame.

    Riempimento dei fori di contatto e dei gate: utilizzati come materiali per interconnessioni locali e fori di contatto in chip di memoria e logica avanzati.

    Rivestimenti protettivi e ad alta temperatura

    Protezione dei componenti ad alta temperatura: rivestimenti anticorrosione e antiossidazione per componenti ad alta temperatura come motori aeronautici e pale di turbine a gas.

    Rinforzo di utensili e stampi: il rivestimento superficiale degli utensili da taglio e degli stampi per pressofusione migliora notevolmente la resistenza all'usura e la durata utile.

    Display e dispositivi ottici

    Elettrodi a transistor a film sottile (TFT): gate e linee di segnale utilizzati nei pannelli di visualizzazione LCD/OLED ad alta risoluzione.

    Bersagli a raggi X e maschere ottiche: come strati di blocco dei raggi ad alta energia e di trasferimento di pattern nei sistemi di imaging medico e di litografia.

    Nuova energia e sensori

    Elettrodi delle celle fotovoltaiche: elettrodo posteriore e strato conduttivo trasparente delle celle solari a film sottile (come le celle CIGS).

    MEMS e strato strutturale del sensore: utilizzati per film conduttivi e strutturali in sistemi micromeccanici quali sensori di pressione e accelerometri.

    descrizione2

    Obiettivo W

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