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Affidabile bersaglio WSi da 300 mm per prestazioni migliorate
Caratteristiche
Elevate prestazioni di sputtering
Elevata velocità di sputtering: elevata densità (≥9,5 g/cm³) ed elevata purezza (≥99,995%) migliorano l'efficienza dello sputtering e riducono i costi del processo;
Formazione uniforme del film: dimensione controllabile del die (in genere ≤ 50μm) per garantire l'uniformità dello spessore superficiale (non uniformità ≤3%) su wafer di grandi dimensioni;
Basso inquinamento da particelle: la microstruttura densa riduce il rilascio di particelle fini durante lo sputtering e migliora la resa.
Compatibilità tra chimica e tecnologia
Resistenza antiossidante e alla corrosione: resiste all'ossidazione ad alta temperatura e in ambienti al plasma ed è compatibile con processi difficili come PVD/CVD;
Controllo dello stress ridotto: lo stress interno della pellicola può essere regolato per ridurre il rischio di deformazione del wafer e di difetti di interfaccia.
Elevata selettività di incisione: eccellente selettività di incisione con strati dielettrici e fotoresist, semplificando il processo grafico;
Eccellenti proprietà del film sottile
Bassa resistività: bassa resistività del film (circa 50–70μΩ·cm), che riduce significativamente la resistenza di interconnessione del circuito e migliora la velocità di commutazione del dispositivo;
Elevata stabilità termica: resistenza alle alte temperature (>1000°C), mantenimento della stabilità chimica nei successivi processi di ricottura, inibendo la diffusione elementare;
Forte adesione interfacciale: eccellente adesione al substrato di silicio e allo strato dielettrico SiO₂, evitando problemi di distacco della pellicola.
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Applicazione
Produzione di semiconduttori
Ingegneria dei gate: sostituzione del polisilicio con i gate metallici CMOS (come i processi con gate metallici ad alto K al di sotto dei 28 nm);
Strato di contatto: strato di contatto ohmico della sorgente/drain del transistor (resistenza di contatto WSi/Si fino a 10⁻⁷ Ω·cm²);
Interconnessione locale: una struttura embolica che collega il transistor al primo strato di metallo (ad esempio, strato barriera di diffusione embolica in tungsteno).
Produzione di dispositivi di archiviazione
DRAM: Lo strato di contatto tra l'elettrodo capacitivo e la linea di bit migliora la stabilità dell'immagazzinamento della carica;
NAND 3D: struttura di impilamento dei gate dei canali verticali, resistenza alle alte temperature adatta al processo di incisione a gradini;
Semiconduttori di potenza e composti
Dispositivi di potenza: metallizzazione del gate dei dispositivi SiC/GaN per resistere ad ambienti di lavoro ad alta temperatura;
Dispositivi RF: i film sottili a bassa resistenza riducono la resistenza parassita del dispositivo e migliorano le prestazioni ad alta frequenza.
Altri campi di fascia alta
Display a schermo piatto: deposizione di film sottile del gate e della linea del segnale del backplane TFT;
Dispositivi resistenti alle radiazioni: strati metallici resistenti alle radiazioni di componenti elettronici aerospaziali.
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