01
Bersaglio in lega di tungsteno e titanio 300mm WTi Target
Caratteristiche
Prestazioni del film e adattabilità del processo
Elevate proprietà barriera: i film WTi hanno un coefficiente di diffusione molto basso, che può impedire efficacemente la diffusione degli atomi di rame (Cu) sul substrato di silicio o sullo strato dielettrico e rappresenta un materiale barriera alla diffusione fondamentale per le interconnessioni in rame nei processi avanzati.
Forte adesione: le proprietà attive del Ti migliorano significativamente la forza di adesione della pellicola al substrato (come SiO₂, supporti a bassa k) e al metallo superiore (come Cu) e inibiscono la desquamazione della pellicola.
Bassa resistività: la struttura ottimizzata del bordo del grano rende la resistività del film inferiore a quella del TiN puro e di altri composti, riducendo la resistenza della linea di interconnessione;
Stabilità del processo di sputtering
Struttura uniforme della fase della lega: attraverso materie prime ad elevata purezza e processi di omogeneizzazione, si garantisce la distribuzione uniforme dei componenti target e si ottiene un'elevata uniformità dello spessore della pellicola e dei componenti.
Elevata velocità di sputtering: l'elevata densità e le basse impurità migliorano l'efficienza dello sputtering e riducono i costi di processo;
Anti-nodulazione e controllo dell'arco: la granulometria e la microstruttura ottimizzate riducono gli schizzi di particelle e le scariche anomale durante lo sputtering, garantendo la stabilità del processo.
Chimica e stabilità termica
Resistenza all'ossidazione ad alta temperatura: nell'ambiente ad alta temperatura della cavità PVD (300-500°C), la pellicola WTi mantiene la stabilità strutturale e inibisce il degrado delle prestazioni causato dall'ossidazione.
Resistenza alla corrosione: presenta un'elevata resistenza al gas di incisione e alla soluzione di pulizia a umido per garantire la compatibilità con i processi successivi.
Compatibilità flessibile dei processi
Compatibilità flessibile dei processi
Adattamento dello sputtering di reazione: il film composito WTiN può essere spruzzato in un'atmosfera mista di azoto/argon per migliorare ulteriormente le prestazioni di barriera e la durezza.
Integrazione di film multistrato: compatibile con Ta/TaN, Co, Ru e altri materiali per film, supportando la progettazione di strutture laminate complesse.
descrizione2
Applicazione
produzione di semiconduttori
Chip logico: strato barriera di diffusione in una porta metallica ad alto k (HKMG). Strati barriera/adesione chiave di interconnessione Cu (ad esempio, struttura Cu/WTiN/Ti/Si;
Chip di memoria: DRAM: strato di contatto dell'elettrodo capacitivo, strato di blocco della linea bit/parola;
3D NAND: strato di adesione conduttiva dei contatti a scala;
Produzione di display a schermo piatto
TFT-LCD/OLED: elettrodo di sorgente/dispersione e strato di metallizzazione del gate del transistor a film sottile (TFT);
Pannello touch: strato di rinforzo conduttivo sotto ITO per ottimizzare la sensibilità al tocco;
Semiconduttori composti e dispositivi di potenza
Dispositivi GaN/SiC: strati di adesione con contatto ohmico,
Modulo di potenza: strato barriera di diffusione metallizzato sulla superficie del chip per inibire l'interdiffusione elementare ad alte temperature.
Tabella delle proprietà
descrizione2