鉬靶：專用於濺鍍膜
高溫穩定性和機械性能
超高熔點：2623°C，可在高溫濺鍍環境（300~800°C）中保持結構穩定性，具有很強的抗熱變形能力；
高溫強度：在高溫下仍保持較高的硬度和抗蠕變性，確保目標材料在長期加工過程中不會開裂或變形；
熱膨脹係數（4.8×10⁻⁶/K）：與矽和玻璃基板具有良好的熱相容性，可減少薄膜熱應力引起的分層或開裂；
導電性和熱管理性能
高導電性：提高濺鍍效率並降低製程能耗；
高導熱性：快速傳導濺射熱量，防止局部過熱導致靶材開裂或液滴飛濺，並確保薄膜層的均勻性；
薄膜沉積特性
濺鍍速率低：需高功率激發，但沉積膜層緻密，黏附力強；
高密度：減少濺鍍過程中的孔隙和缺陷，提高薄膜純度和緻密性；
可控晶粒尺寸：透過製程優化實現細晶粒結構，減少濺鍍顆粒，改善薄膜層表面光潔度；
化學穩定性和多功能性
化學穩定性和多功能性
耐腐蝕性：耐大多數酸、鹼和製程氣體（如 O₂、N₂），適用於反應濺鍍（如沉積 MoO₃、MoN）；
氧親和力低：高溫下不易氧化，維持高純度金屬膜的特性（需控制腔體內的氧含量）；
描述2
半導體製造和平面顯示器
互連和閘極材料：用於沉積 Mo/MoN 阻擋層；
接觸層：作為OLED顯示器TFT背板中的源/漏電極；
TFT陣列電極：沉積Mo/Al/Mo堆疊結構；
透明導電薄膜（TCO）支撐層：鈣鈦礦太陽能電池的鉬背電極；
新能源和光學元件
薄膜太陽能電池：CIGS（銅銦鎵硒）電池的背電極材料；
紅外線鏡：利用鉬的高紅外線反射率製成的光學元件。
紅外線鏡：利用鉬的高紅外線反射率製成的光學元件。
描述2
