氮化硼：用途廣泛的工業材料
高熱穩定性
h-BN 在惰性氣氛中可承受 2000°C 的高溫，在氧化環境中可穩定耐受高達 900°C 的高溫；
c-BN 在 1400°C 以下不會轉化為 h-BN。
熱性能
六方氮化硼的熱傳導率比氧化鋁好（沿 c 軸：400 W/m·K，垂直於 c 軸：30 W/m·K）；
低熱膨脹係數（h-BN：沿 c 軸 -2.7×10⁻⁶/°C，垂直於 c 軸 38×10⁻⁶/°C）；
機械性質
h-BN 硬度低（莫氏硬度約 2），可加工性強；c-BN 硬度僅次於鑽石；
h-BN具有優異的抗熱衝擊性（由於其彈性模量低）。
電氣特性
h-BN 是一種優質絕緣體（電阻率 > 10¹⁴ Ω·cm，介電常數 ~4）；
c-BN 是一種寬頻隙半導體（帶隙寬度約為 6.4 eV）；
化學惰性
能抵抗熔融金屬（如鋁、銅）的侵蝕，不與酸/鹼反應（濃硫酸及熔融鹼除外）；
熱性能
六方氮化硼的熱傳導率比氧化鋁好（沿 c 軸：400 W/m·K，垂直於 c 軸：30 W/m·K）；
低熱膨脹係數（h-BN：沿 c 軸 -2.7×10⁻⁶/°C，垂直於 c 軸 38×10⁻⁶/°C）；
機械性質
h-BN 硬度低（莫氏硬度約 2），可加工性強；c-BN 硬度僅次於鑽石；
h-BN具有優異的抗熱衝擊性（由於其彈性模量低）。
電氣特性
h-BN 是一種優質絕緣體（電阻率 > 10¹⁴ Ω·cm，介電常數 ~4）；
c-BN 是一種寬頻隙半導體（帶隙寬度約為 6.4 eV）；
化學惰性
能抵抗熔融金屬（如鋁、銅）的侵蝕，不與酸/鹼反應（濃硫酸及熔融鹼除外）；
電子與半導體
散熱基板：h-BN陶瓷用作高功率LED和射頻裝置的絕緣散熱器；
半導體設備：PBN坩堝用於GaAs和GaN單晶生長；
微波窗口材料：h-BN 具有良好的透明度，用於雷達和等離子體裝置；
半導體設備：PBN坩堝用於GaAs和GaN單晶生長；
微波窗口材料：h-BN 具有良好的透明度，用於雷達和等離子體裝置；
高溫冶金
連鑄：以 h-BN 作為隔離環，防止鋼水沾黏；
熱電偶保護管：耐熔融鋁和鎂腐蝕；
機械工具
潤滑劑：h-BN 粉末用於齒輪和軸承的高溫潤滑（在氧化環境中取代石墨）；
超硬刀具：用於加工淬硬鋼和鑄鐵的c-BN切削刀具。
h-BN具有優異的抗熱衝擊性（由於其彈性模量低）。
神經能量與航空航天
潤滑劑：h-BN 粉末用於齒輪和軸承的高溫潤滑（在氧化環境中取代石墨）；
超硬刀具：用於加工淬硬鋼和鑄鐵的c-BN切削刀具。
