CrSi合金靶材：可依不同規格訂製
薄膜的功能特性
可控電阻特性：CrSi薄膜具有寬電阻率範圍，可透過成分調整製備高精度電阻器。
高熱穩定性：在高溫環境（≤800°C）下保持穩定的電氣性能，使其適用於高溫裝置。
附著力強，耐腐蝕性佳：與陶瓷及矽基材結合牢固，耐酸性及氧化性環境腐蝕。
高效率的濺鍍性能
高效率的濺鍍性能
均勻的合金結構：高密度和低孔隙率確保濺鍍膜成分均勻一致。
濺鍍缺陷少：高純度（≥99.9%）和低雜質含量（氧含量≤600 ppm）可減少薄膜形成缺陷。
良好的結晶控制能力：可透過製程參數調節薄膜的晶體/非晶結構，以適應不同的應用需求。
製程與整合的兼容性
製程與整合的兼容性
低溫薄膜沉積能力：可在≤200°C下沉積，與對溫度敏感的矽基半導體製程相容。
適用於蝕刻和繪圖：相容於乾法/濕蝕刻工藝，具有高圖形精度，適用於微加工。
與半導體製程相容：不含污染元素（例如鈉、鉀），滿足積體電路製造的要求。
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半導體和微電子
薄膜電阻材料：用於高精度薄膜電阻器（例如，晶片電阻器、積體電路負載電阻器）中，以提供穩定的溫度係數（TCR）。
擴散阻擋層：抑制銅互連結構中的銅擴散，以提高元件可靠性。
相變記憶體：作為 Ge-Sb-Te 系列相變記憶體的電極接觸層。
感應器和功能器件
溫度感測器：CrSi 薄膜用於製備高靈敏度溫度感測器（例如，汽車電子產品、工業溫度控制系統）。
應變感測層：用作 MEMS 裝置中的壓阻材料，以實現機械應力訊號轉換。
光電探測器：用於紅外線探測器的接觸電極和訊號傳輸層。
新能源和光學技術
太陽能電池電極：用作薄膜太陽能電池的背接觸層或透明導電氧化物（TCO）支撐層。
光控薄膜：用作紅外線光學元件的反射層或吸收調節層。
磁記錄磁頭材料：用作硬碟磁頭的引線或屏蔽材料。
晶圓級封裝：用於電阻器和隔離層，適用於 U-Chip 和 TSV 等先進封裝技術。
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