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氧化鎂鋅靶材:廣泛應用於紫外光電子學領域

MZO(氧化鋅鎂,ZnMgO)濺射靶材是一種複合氧化物陶瓷,由氧化鋅和氧化鎂經粉末冶金和高溫燒結製程製成,專為物理氣相沉積製程中的磁控濺鍍膜而設計。其化學式通常表示為Zn₁₋ₓMgₓO,其中Mg元素含量(x值)可透過調節來精確「客製化」其能帶結構,使其成為一種高性能寬頻隙半導體材料,廣泛應用於紫外光電子學、透明電子學和多功能薄膜等領域。

    可調光電特性

    可調帶隙:透過改變Mg的摻雜比例(x值),可以連續調節ZnO的帶隙為3.37 eV,MgO的帶隙為7.8 eV,這是實現紫外線光子元件的關鍵。

    高可見光透過率:此材料保持了氧化鋅的高透明度,在可見光區域的透過率大於 80%,使其適用於透明電子裝置。

    優異的晶體品質:在適當的鎂含量和加工條件下,可以形成高品質的六方纖鋅礦結構晶體薄膜,從而確保裝置性能。

    高濺鍍性能

    緻密均勻的結構:高密度(≥5.6 g/cm³)和高純度(≥99.99%)保證了穩定的濺射過程、高薄膜品質和最小的顆粒產生。

    成分穩定性:先進的燒結技術確保鋅和鎂元素均勻分佈在目標材料中,從而在濺射過程中實現精確的成分轉移,確保薄膜成分的一致性。

    優異的製程相容性:可在室溫至中溫條件下沉積,與各種半導體製程相容。

    增強的物​​理和化學性能

    高熱穩定性和化學穩定性:MgO 的引入提高了材料的熱穩定性和耐腐蝕性,使其適用於更惡劣的工作環境。

    高電阻率:本徵MZO薄膜具有高電阻率,使其成為製備半導體元件緩衝層的理想選擇。透過摻雜Al和Ga等元素可以提高其導電性,從而實現靈活的應用。

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    紫外線光電探測器

    日盲紫外線探測:高鎂含量(x ~ 0.5)的MZO薄膜的帶隙可調整至4.9 eV以上,對應於「日盲」紫外線波段(240-280 nm)。這些薄膜可應用於飛彈預警系統、火災監測和非視距保密通訊等領域,這些應用對訊號雜訊比要求極高。

    發光和顯示技術

    LED元件:作為量子井結構中的勢壘層,它們與ZnO形成異質結,用於製造紫外線和藍光發光二極體(LED)和雷射二極體(LD)。

    顯示薄膜電晶體:用於透明柔性顯示背板的通道層,其可調帶隙有助於降低裝置的關閉電流並提高開關比。


    薄膜太陽能電池

    緩衝層材料:作為銅銦鎵硒(CIGS)等薄膜太陽能電池中的無鎘(Cd-free)緩衝層,其可調帶隙特性可以更好地匹配吸收層和窗口層的能帶,從而減少界面複合損失並提高電池的轉換效率。

    輻射探測與感測器

    X射線和高能量粒子偵測:寬頻隙特性使其能夠承受強輻射,因此適用於高能量物理實驗中的X射線成像面板和輻射偵測裝置。

    氣體感測器:這些感測器對某些氣體表現出靈敏的電或光學響應,因此可用於環境監測。


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