MoSi合金靶材：優異的薄膜均勻性
電影特性
低電阻率：MoSi薄膜具有低電阻率，使其適用於高性能導電層要求。
高溫穩定性：在高溫環境下能夠維持結構穩定性，具有強大的抗氧化性，能夠在高溫製程中維持其性能。
黏著性：與矽基、玻璃和氧化物等基材具有牢固的黏合力，適合用作過渡層或功能層。
低電阻率：MoSi薄膜具有低電阻率，使其適用於高性能導電層要求。
高溫穩定性：在高溫環境下能夠維持結構穩定性，具有強大的抗氧化性，能夠在高溫製程中維持其性能。
良好的附著力：與矽基、玻璃和氧化物等基材具有牢固的結合力，適合用作過渡層或功能層。
化學和功能相容性
抗氧化和抗腐蝕性：在高溫空氣中於表面形成緻密的SiO₂保護層，防止進一步氧化。
蝕刻性能：相容於常見的光刻工藝，乾法和濕法蝕刻均可實現高精度圖形。
可調節的矽含量：透過調節 Mo/Si 比，可以適應不同應用場景的電氣和光學要求。
描述2
半導體和微電子
閘極和互連材料：用於積體電路中的閘極電極和局部互連層，特別適用於高溫製程。
擴散阻擋層：有效阻止金屬原子的擴散，提高裝置的可靠性和使用壽命。
高效率的濺鍍性能
低電阻率：MoSi薄膜具有低電阻率，使其適用於高性能導電層要求。
高溫穩定性：在高溫環境下能夠維持結構穩定性，具有強大的抗氧化性，能夠在高溫製程中維持其性能。
良好的附著力：與矽基、玻璃和氧化物等基材具有牢固的結合力，適合用作過渡層或功能層。
化學和功能相容性
抗氧化和抗腐蝕性：在高溫空氣中於表面形成緻密的SiO₂保護層，防止進一步氧化。
蝕刻性能：相容於常見的光刻工藝，乾法和濕法蝕刻均可實現高精度圖形。
可調節的矽含量：透過調節 Mo/Si 比，可以適應不同應用場景的電氣和光學要求。
描述2
