可靠的 300mm WSi 靶材，提升性能
特徵
高濺鍍性能
高濺鍍率：高密度（≥9.5 g/cm³）和高純度（≥99.995%）可提高濺鍍效率並降低製程成本；
均勻成膜：可控晶片尺寸（通常≤50μm），以確保大晶圓表面厚度均勻（不均勻性≤3%）；
低顆粒污染：緻密的微觀結構減少了濺鍍過程中細顆粒的釋放，提高了產量。
化學與科技的兼容性
抗氧化性和耐腐蝕性：在高溫和等離子體環境下能抵抗氧化，並且與 PVD/CVD 等苛刻製程相容；
低應力控制：可以調節薄膜的內部應力，以降低晶圓翹曲和界面缺陷的風險。
高蝕刻選擇性：對光阻和介電層具有優異的蝕刻選擇性，簡化了圖形製程；
優異的薄膜性能
低電阻率：薄膜電阻率低（約 50–70μΩ·cm），可顯著降低電路互連電阻，提高元件的開關速度；
熱穩定性高：耐高溫（>1000°C），在後續退火過程中維持化學穩定性，抑制元素擴散；
界面黏合力強：與矽基底和SiO₂介電層具有優異的黏合性，避免薄膜剝落問題。
描述2
應用
半導體製造
閘極工程：以 CMOS 金屬閘極（例如 28nm 以下的高 K 金屬閘極製程）取代多晶矽；
接觸層：電晶體源極/汲極的歐姆接觸層（WSi/Si接觸電阻低至10⁻⁷ Ω·cm²）；
局部互連：一種將電晶體連接到第一層金屬（例如，鎢栓塞擴散阻擋層）的栓塞結構。
儲存設備的製造
DRAM：電容電極與位元線之間的接觸層提高了電荷儲存的穩定性；
3D NAND：垂直通道的閘極堆疊結構，耐高溫，適用於階梯式蝕刻製程；
功率半導體和化合物半導體
功率元件：SiC/GaN元件的閘極金屬化，以承受高溫工作環境；
射頻元件：低電阻薄膜可降低裝置的寄生電阻，提高高頻效能。
其他高端領域
平板顯示器：TFT背板閘極和訊號線的薄膜沉積；
抗輻射裝置：航空航天電子元件的抗輻射加固金屬層。
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