碳化矽：高性能材料的未來
超高純度和可控成分
純度≥4N（99.99%），確保沉積薄膜無雜質污染，滿足半導體級製程的要求；低氧含量（
極端環境穩定性
耐高溫，熔點>2700℃，在PVD高能量等離子轟擊下無熔化變形；且耐等離子侵蝕，表面腐蝕速率遠低於金屬靶材，使用壽命提高3-5倍，減少停機和更換靶材的頻率。此外，它化學性質穩定，耐Ar、N₂、O₂等製程氣體的腐蝕，且不產生副污染。
機械和熱可靠性
該材料硬度高（Hv>2500），背面耐夾緊應力及冷卻熱衝擊，抗裂紋；此外，其熱膨脹係數低，與銅/鉬背板匹配良好，降低了熱循環分層的風險。同時，它具有高導熱性，散熱效率高，避免了局部過熱引起的元件偏析。
純度≥4N（99.99%），確保沉積薄膜無雜質污染，滿足半導體級製程的要求；低氧含量（
極端環境穩定性
耐高溫，熔點>2700℃，在PVD高能量等離子轟擊下無熔化變形；且耐等離子侵蝕，表面腐蝕速率遠低於金屬靶材，使用壽命提高3-5倍，減少停機和更換靶材的頻率。此外，它化學性質穩定，耐Ar、N₂、O₂等製程氣體的腐蝕，且不產生副污染。
機械和熱可靠性
該材料硬度高（Hv>2500），背面耐夾緊應力及冷卻熱衝擊，抗裂紋；此外，其熱膨脹係數低，與銅/鉬背板匹配良好，降低了熱循環分層的風險。同時，它具有高導熱性，散熱效率高，避免了局部過熱引起的元件偏析。
半導體製造
功能性薄膜和塗層
光學與感測器
功率元件：SiC 薄膜用於肖特基二極體鈍化層和 MOSFET 閘極介質，以提高耐壓性和可靠性；
GaN HEMT裝置中的表面鈍化層可抑制電流崩塌；
GaN HEMT裝置中的表面鈍化層可抑制電流崩塌；
第三代半導體外延：作為緩衝層/模板層，生長高品質的SiC外延晶片。
功能性薄膜和塗層
耐磨塗層：在工具和軸承表面沉積SiC薄膜；
核反應器包殼塗層：SiC複合塗層；
航空航太熱防護：引擎零件上的SiC抗氧化塗層。
光學與感測器
紅外線窗口抗反射膜：SiC 薄膜用於 3-5μm 波段的紅外線光學元件；
MEMS感測器鈍化層：耐腐蝕介質接觸（生物晶片、化學感測器）。
