鎢鈦合金靶材 300mm WTi 靶材
特徵
薄膜性能和製程適應性
高阻擋性能：WTi 薄膜具有非常低的擴散係數，可有效阻止銅 (Cu) 原子擴散到矽基板或介電層，是先進製程中銅互連的關鍵擴散阻擋材料。
強黏附性：Ti 的活性特性顯著提高了薄膜與基底（如 SiO₂、低介電常數材料）和上層金屬（如 Cu）的結合強度，並抑制了薄膜剝落。
低電阻率：優化的晶界結構使薄膜電阻率低於純TiN和其他化合物，從而降低了互連線的電阻；
濺鍍過程的穩定性
均勻合金相結構：透過高純度原料和均質化工藝，確保目標成分的一致分佈，實現薄膜厚度和成分的高度均勻性。
高濺鍍率：高密度和低雜質可提高濺鍍效率並降低製程成本；
抗結塊和電弧控制：最佳化的晶粒尺寸和微觀結構減少了濺鍍過程中的顆粒飛濺和異常放電，從而確保了製程穩定性。
化學和熱穩定性
高溫抗氧化性：在 PVD 腔體高溫環境（300-500°C）中，WTi 薄膜保持結構穩定性，抑制氧化引起的性能退化。
耐腐蝕性：對蝕刻氣體和濕式清洗液具有很強的抵抗力，以確保後續製程的兼容性。
靈活的製程相容性
靈活的製程相容性
反應濺射改良：WTiN複合薄膜可在氮氣/氬氣混合氣氛中進行濺射，以進一步提高阻隔性能和硬度。
多層薄膜整合：相容於Ta/TaN、Co、Ru等薄膜材料，支援複雜的層壓結構設計。
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應用
半導體製造
邏輯晶片：高k金屬閘極（HKMG）中的擴散阻擋層。銅互連的關鍵阻擋/黏附層（例如，Cu/WTiN/Ti/Si結構；
記憶體晶片：DRAM：電容電極接觸層，位元/字線阻擋層；
3D NAND：階梯接點的導電黏合層；
平面顯示器製造
TFT-LCD/OLED：薄膜電晶體（TFT）的源極/汲極和閘極金屬化層；
觸控面板：在 ITO 下方設定導電增強層，以優化觸控靈敏度；
化合物半導體和功率元件
GaN/SiC元件：具有歐姆接觸的黏附層
電源模組：晶片表面採用金屬化擴散阻擋層，以抑制高溫下的元素互擴散。
屬性表
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