氮化硼：用途广泛的工业材料
高热稳定性
h-BN 在惰性气氛中可承受 2000°C 的高温，在氧化环境中可稳定耐受高达 900°C 的高温；
c-BN 在 1400°C 以下不会转化为 h-BN。
热性能
六方氮化硼的热导率比氧化铝好（沿 c 轴：400 W/m·K，垂直于 c 轴：30 W/m·K）；
低热膨胀系数（h-BN：沿 c 轴 -2.7×10⁻⁶/°C，垂直于 c 轴 38×10⁻⁶/°C）；
机械性能
h-BN 硬度低（莫氏硬度约为 2），可加工性强；c-BN 硬度仅次于金刚石；
h-BN具有优异的抗热冲击性（由于其弹性模量低）。
电气特性
h-BN 是一种优质绝缘体（电阻率 > 10¹⁴ Ω·cm，介电常数 ~4）；
c-BN 是一种宽带隙半导体（带隙宽度约为 6.4 eV）；
化学惰性
能抵抗熔融金属（如铝、铜）的侵蚀，不与酸/碱发生反应（浓硫酸和熔融碱除外）；
热性能
六方氮化硼的热导率比氧化铝好（沿 c 轴：400 W/m·K，垂直于 c 轴：30 W/m·K）；
低热膨胀系数（h-BN：沿 c 轴 -2.7×10⁻⁶/°C，垂直于 c 轴 38×10⁻⁶/°C）；
机械性能
h-BN 硬度低（莫氏硬度约为 2），可加工性强；c-BN 硬度仅次于金刚石；
h-BN具有优异的抗热冲击性（由于其弹性模量低）。
电气特性
h-BN 是一种优质绝缘体（电阻率 > 10¹⁴ Ω·cm，介电常数 ~4）；
c-BN 是一种宽带隙半导体（带隙宽度约为 6.4 eV）；
化学惰性
能抵抗熔融金属（如铝、铜）的侵蚀，不与酸/碱发生反应（浓硫酸和熔融碱除外）；
电子与半导体
散热基板：h-BN陶瓷用作大功率LED和射频器件的绝缘散热器；
半导体设备：PBN坩埚用于GaAs和GaN单晶生长；
微波窗口材料：h-BN 具有良好的透明度，用于雷达和等离子体器件；
半导体设备：PBN坩埚用于GaAs和GaN单晶生长；
微波窗口材料：h-BN 具有良好的透明度，用于雷达和等离子体器件；
高温冶金
连铸：采用 h-BN 作为隔离环，防止钢水粘连；
热电偶保护管：耐熔融铝和镁腐蚀；
机械工具
润滑剂：h-BN 粉末用于齿轮和轴承的高温润滑（在氧化环境中替代石墨）；
超硬刀具：用于加工淬硬钢和铸铁的c-BN切削刀具。
h-BN具有优异的抗热冲击性（由于其弹性模量低）。
神经能量与航空航天
润滑剂：h-BN 粉末用于齿轮和轴承的高温润滑（在氧化环境中替代石墨）；
超硬刀具：用于加工淬硬钢和铸铁的c-BN切削刀具。
