CrSi合金靶材：可根据不同规格定制
薄膜的功能特性
可控电阻特性：CrSi薄膜具有宽电阻率范围，可通过成分调整制备高精度电阻器。
高热稳定性：在高温环境（≤800°C）下保持稳定的电性能，使其适用于高温器件。
附着力强，耐腐蚀性好：与陶瓷和硅基材结合牢固，耐酸性和氧化性环境腐蚀。
高效的溅射性能
高效的溅射性能
均匀的合金结构：高密度和低孔隙率确保溅射膜成分均匀一致。
溅射缺陷少：高纯度（≥99.9%）和低杂质含量（氧含量≤600 ppm）可减少薄膜形成缺陷。
良好的结晶控制能力：可通过工艺参数调节薄膜的晶体/非晶结构，以适应不同的应用需求。
工艺与集成的兼容性
工艺与集成的兼容性
低温薄膜沉积能力：可在≤200°C下沉积，与对温度敏感的硅基半导体工艺兼容。
适用于蚀刻和绘图：兼容干法/湿法蚀刻工艺，具有高图形精度，适用于微加工。
与半导体工艺兼容：不含污染元素（例如钠、钾），满足集成电路制造的要求。
描述2
半导体和微电子
薄膜电阻材料：用于高精度薄膜电阻器（例如，芯片电阻器、集成电路负载电阻器）中，以提供稳定的温度系数（TCR）。
扩散阻挡层：抑制铜互连结构中的铜扩散，以提高器件可靠性。
相变存储器：作为 Ge-Sb-Te 系列相变存储器的电极接触层。
传感器和功能器件
温度传感器：CrSi 薄膜用于制备高灵敏度温度传感器（例如，汽车电子产品、工业温度控制系统）。
应变传感层：用作 MEMS 器件中的压阻材料，以实现机械应力信号转换。
光电探测器：用于红外探测器的接触电极和信号传输层。
新能源和光学技术
太阳能电池电极：用作薄膜太阳能电池的背接触层或透明导电氧化物（TCO）支撑层。
光控薄膜：用作红外光学器件的反射层或吸收调节层。
磁记录磁头材料：用作硬盘磁头的引线或屏蔽材料。
晶圆级封装：用于电阻器和隔离层，适用于 U-Chip 和 TSV 等先进封装技术。
描述2
