MoSi合金靶材：优异的薄膜均匀性
电影特性
低电阻率：MoSi薄膜具有低电阻率，使其适用于高性能导电层要求。
高温稳定性：在高温环境下能够保持结构稳定性，具有很强的抗氧化性，能够在高温工艺中保持其性能。
粘附性：与硅基、玻璃和氧化物等基材具有牢固的粘合力，适合用作过渡层或功能层。
低电阻率：MoSi薄膜具有低电阻率，使其适用于高性能导电层要求。
高温稳定性：在高温环境下能够保持结构稳定性，具有很强的抗氧化性，能够在高温工艺中保持其性能。
良好的附着力：与硅基、玻璃和氧化物等基材具有牢固的结合力，适合用作过渡层或功能层。
化学和功能兼容性
抗氧化和抗腐蚀性：在高温空气中于表面形成致密的SiO₂保护层，防止进一步氧化。
蚀刻性能：兼容常见的光刻工艺，干法和湿法蚀刻均可实现高精度图形。
可调节的硅含量：通过调节 Mo/Si 比，可以适应不同应用场景的电气和光学要求。
描述2
半导体和微电子
栅极和互连材料：用于集成电路中的栅极电极和局部互连层，尤其适用于高温工艺。
扩散阻挡层：有效阻止金属原子的扩散，提高器件的可靠性和使用寿命。
高效的溅射性能
低电阻率：MoSi薄膜具有低电阻率，使其适用于高性能导电层要求。
高温稳定性：在高温环境下能够保持结构稳定性，具有很强的抗氧化性，能够在高温工艺中保持其性能。
良好的附着力：与硅基、玻璃和氧化物等基材具有牢固的结合力，适合用作过渡层或功能层。
化学和功能兼容性
抗氧化和抗腐蚀性：在高温空气中于表面形成致密的SiO₂保护层，防止进一步氧化。
蚀刻性能：兼容常见的光刻工艺，干法和湿法蚀刻均可实现高精度图形。
可调节的硅含量：通过调节 Mo/Si 比，可以适应不同应用场景的电气和光学要求。
描述2
