可靠的 300mm WSi 靶材，提升性能
特征
高溅射性能
高溅射率：高密度（≥9.5 g/cm³）和高纯度（≥99.995%）可提高溅射效率并降低工艺成本；
均匀成膜：可控芯片尺寸（通常≤50μm），以确保大晶圆表面厚度均匀（不均匀性≤3%）；
低颗粒污染：致密的微观结构减少了溅射过程中细颗粒的释放，提高了产量。
化学与技术的兼容性
抗氧化性和耐腐蚀性：在高温和等离子体环境下能抵抗氧化，并且与 PVD/CVD 等苛刻工艺兼容；
低应力控制：可以调节薄膜的内部应力，以降低晶圆翘曲和界面缺陷的风险。
高蚀刻选择性：对光刻胶和介电层具有优异的蚀刻选择性，简化了图形工艺；
优异的薄膜性能
低电阻率：薄膜电阻率低（约 50–70μΩ·cm），可显著降低电路互连电阻，提高器件的开关速度；
热稳定性高：耐高温（>1000°C），在后续退火过程中保持化学稳定性，抑制元素扩散；
界面粘合力强：与硅基底和SiO₂介电层具有优异的粘合性，避免薄膜剥落问题。
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应用
半导体制造
栅极工程：用 CMOS 金属栅极（例如 28nm 以下的高 K 金属栅极工艺）代替多晶硅；
接触层：晶体管源极/漏极的欧姆接触层（WSi/Si接触电阻低至10⁻⁷ Ω·cm²）；
局部互连：一种将晶体管连接到第一层金属（例如，钨栓塞扩散阻挡层）的栓塞结构。
存储设备的制造
DRAM：电容电极与位线之间的接触层提高了电荷存储的稳定性；
3D NAND：垂直通道的栅极堆叠结构，耐高温，适用于阶梯式蚀刻工艺；
功率半导体和化合物半导体
功率器件：SiC/GaN器件的栅极金属化，以承受高温工作环境；
射频器件：低电阻薄膜可降低器件的寄生电阻，提高高频性能。
其他高端领域
平板显示器：TFT背板栅极和信号线的薄膜沉积；
抗辐射器件：航空航天电子元件的抗辐射加固金属层。
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