钨钛合金靶材 300mm WTi 靶材
特征
薄膜性能和工艺适应性
高阻隔性能：WTi 薄膜具有非常低的扩散系数，可以有效阻止铜 (Cu) 原子扩散到硅衬底或介电层，是先进工艺中铜互连的关键扩散阻挡材料。
强粘附性：Ti 的活性特性显著提高了薄膜与基底（如 SiO₂、低介电常数材料）和上层金属（如 Cu）的结合强度，并抑制了薄膜剥落。
低电阻率：优化的晶界结构使薄膜电阻率低于纯TiN和其他化合物，从而降低了互连线的电阻；
溅射过程的稳定性
均匀合金相结构：通过高纯度原材料和均质化工艺，确保目标成分的一致分布，实现薄膜厚度和成分的高度均匀性。
高溅射率：高密度和低杂质可提高溅射效率并降低工艺成本；
抗结块和电弧控制：优化的晶粒尺寸和微观结构减少了溅射过程中的颗粒飞溅和异常放电，从而保证了工艺稳定性。
化学和热稳定性
高温抗氧化性：在 PVD 腔体高温环境（300-500°C）中，WTi 薄膜保持结构稳定性，抑制氧化引起的性能退化。
耐腐蚀性：对蚀刻气体和湿式清洗液具有很强的抵抗力，以确保后续工艺的兼容性。
灵活的工艺兼容性
灵活的工艺兼容性
反应溅射改进：WTiN复合薄膜可在氮气/氩气混合气氛中进行溅射，以进一步提高阻隔性能和硬度。
多层薄膜集成：兼容Ta/TaN、Co、Ru等薄膜材料，支持复杂的层压结构设计。
描述2
应用
半导体制造
逻辑芯片：高k金属栅极（HKMG）中的扩散阻挡层。铜互连的关键阻挡/粘附层（例如，Cu/WTiN/Ti/Si结构；
存储芯片：DRAM：电容电极接触层，位/字线阻挡层；
3D NAND：阶梯触点的导电粘合层；
平板显示器制造
TFT-LCD/OLED：薄膜晶体管（TFT）的源极/漏极和栅极金属化层；
触摸面板：在 ITO 下方设置导电增强层，以优化触摸灵敏度；
化合物半导体和功率器件
GaN/SiC器件：具有欧姆接触的粘附层
电源模块：芯片表面采用金属化扩散阻挡层，以抑制高温下的元素互扩散。
属性表
描述2