Unternehmensnachrichten

In der heutigen, sich rasant entwickelnden Technologielandschaft durchläuft der Bereich der Halbleitermaterialien einen tiefgreifenden Wandel. Siliziumkarbid (SiC), ein Halbleitermaterial der dritten Generation mit großer Bandlücke, gewinnt aufgrund seiner herausragenden physikalischen Eigenschaften in zahlreichen Hightech-Anwendungen zunehmend an Bedeutung und erregt weltweites Aufsehen.

Im modernen Industriebereich, wo Geschwindigkeit und Präzision von größter Bedeutung sind, werden Keramikarme mit ihrem einzigartigen technologischen Reiz und ihrer außergewöhnlichen Leistungsfähigkeit zunehmend zu einer wichtigen Stütze für zahlreiche Hochpräzisionsindustrien.

Hexagonales Bornitrid ist ein Kristall aus Stickstoff- und Boratomen mit der Summenformel BN und einer molaren Masse von 24,81 g/mol. Seine chemische Zusammensetzung besteht aus 43,6 % Bor und 56,4 % Stickstoff, und es besitzt eine theoretische Dichte von 2,27 g/cm³. Bornitrid (BN) umfasst fünf Isomere: hexagonales Bornitrid (h-BN), Wurtzit-Bornitrid (w-BN), rhomboedrisches Bornitrid (r-BN), kubisches Bornitrid (c-BN) und orthorhombisches Bornitrid (o-BN). Als neuartiges keramisches Material mit hervorragenden Eigenschaften und erheblichem Entwicklungspotenzial findet es breite Anwendung in den Bereichen Maschinenbau, Metallurgie, Chemieingenieurwesen, Elektronik, Kernenergie und Luft- und Raumfahrt. BN-Pulver zeichnet sich durch Eigenschaften wie Lockerheit, Schmierfähigkeit, geringes Gewicht und gute Feuchtigkeitsaufnahme aus. Die häufigsten Formen sind hexagonales Bornitrid (h-BN) und kubisches Bornitrid (c-BN).

Siliziumnitridkeramiken haben sich aufgrund ihrer hohen Festigkeit, Hochtemperaturbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit zu unverzichtbaren Schlüsselwerkstoffen in Bereichen wie Maschinenbau, Halbleiterindustrie und Luft- und Raumfahrt entwickelt. Von der Laborherstellung bis zur industriellen Fertigung bestehen jedoch weiterhin zahlreiche praktische Herausforderungen in den Kernprozessen.

In der IC-Industrie nehmen Anlagen zur Herstellung integrierter Schaltkreise eine strategisch entscheidende Stellung ein. Zu den Schlüsseltechnologien und -anlagen für die IC-Fertigung zählen Fotolithografie, Dünnschichttechnologie, chemisch-mechanisches Polieren sowie Hochdichte-Gehäusetechnologie. All diese Technologien erfordern Bewegungssteuerungs- und Antriebstechnik mit hoher Effizienz, Präzision und Stabilität und stellen somit höchste Anforderungen an die Genauigkeit der Bauteile und die Eigenschaften der verwendeten Materialien.

Borcarbid: Es wurde im 19. Jahrhundert als Nebenprodukt der Forschung an Metallboriden entdeckt und erst in den 1930er Jahren wissenschaftlich untersucht. Es ist nach Bornitrid, Diamant, Fullerenverbindungen und Diamantfasern das fünfthärteste bekannte Material.

Hochreine Aluminiumoxidkeramiken sind wichtige keramische Werkstoffe, die hauptsächlich aus hochreinem, ultrafeinem Aluminiumoxid mit α-Al bestehen.₂DER₃ als Hauptkristallphase. Aufgrund ihrer hervorragenden Eigenschaften wie hoher mechanischer Festigkeit, großer Härte, Hochtemperaturbeständigkeit und Korrosionsbeständigkeit finden hochreine Aluminiumoxidkeramiken breite Anwendung in verschiedenen Bereichen, darunter Maschinenbau, Elektronik, integrierte Schaltungen und Medizin.

Wolfram und seine Legierungen sind aufgrund ihrer hervorragenden Hochtemperatureigenschaften, Strahlungsbeständigkeit und mechanischen Eigenschaften ideale Kandidaten für Schlüsselkomponenten in Kernfusionsreaktoren. Dieser Artikel gibt einen Überblick über den Forschungsstand zu den Anwendungen von Wolfram und Wolframlegierungen im Bereich der Kernfusion, wobei der Fokus auf ihrem Verhalten bei Plasma-Material-Wechselwirkungen, ihrer thermischen Belastbarkeit und ihrer Strahlenschädigung liegt.

h-BN besitzt eine Reihe hervorragender Eigenschaften und wird als wichtiges Strukturkeramikmaterial erfolgreich in verschiedenen Bereichen eingesetzt. Dank intensiver Forschung konnten die funktionellen Eigenschaften von h-BN stetig weiterentwickelt werden, wodurch sich vielversprechende Anwendungsmöglichkeiten in Bereichen wie neuen Energien und Elektronik ergeben. Darüber hinaus ist h-BN auch für anspruchsvolle Einsatzumgebungen, die integrierte Strukturfunktionalität erfordern, ein idealer Kandidat.

In der Halbleiterindustrie spielt ein Material eine entscheidende Rolle: Keramiktargets. Obwohl sie unscheinbar wirken, sind sie der Schlüssel zu leistungsstarken elektronischen Bauelementen. Mithilfe der physikalischen Gasphasenabscheidung (PVD) ermöglichen Keramiktargets die Herstellung dünner Beschichtungen und verbessern so die elektrischen Eigenschaften, die Haltbarkeit und vieles mehr. Dieser Artikel bietet Ihnen einen detaillierten Einblick in die Bedeutung von Keramiktargets in der Halbleiterfertigung.