L'industrie du carbure de silicium entre dans une période de croissance exceptionnelle, avec une expansion explosive attendue entre 2026 et 2030.
Depuis début 2026, l'industrie chinoise du carbure de silicium (SiC) a connu une accélération de son développement, avec le lancement de plusieurs projets majeurs à travers le pays. De la signature d'un projet d'un milliard de yuans à Hefei pour l'assemblage et le test de modules de puissance, à la mise en service officielle de la ligne de production de puces SiC 8 pouces de Silan Micro, en passant par la pleine capacité de production d'une ligne de modules pour véhicules à Weihai et BaSemiconducteur SiCAvec son nouveau siège social à Wuxi, ces initiatives témoignent collectivement du dynamisme du secteur.
Matériau essentiel des semi-conducteurs de troisième génération, le SiC est de plus en plus utilisé dans les véhicules à énergies nouvelles (VEN), le stockage d'énergie photovoltaïque (PV) et d'autres applications de forte puissance, grâce à ses performances supérieures en matière de résistance aux hautes températures, de tolérance aux hautes tensions et de densité de puissance élevée. Le secteur entre désormais dans une période de forte incertitude et de croissance rapide, la période 2026-2030 étant largement considérée comme une phase d'expansion optimale.
L'expansion du marché demeure le principal moteur de croissance. Selon les données sectorielles, le marché mondial Dispositif d'alimentation Sic Le marché a atteint environ 5 milliards de dollars en 2024 et devrait dépasser les 15 milliards de dollars d'ici 2030, ce qui représente un taux de croissance annuel composé (TCAC) d'environ 14,5 %. Le marché chinois connaît une croissance encore plus rapide, avec un TCAC estimé entre 18 % et 40 %, et sa valeur devrait dépasser les 100 milliards de yuans d'ici 2026.
La demande est principalement alimentée par l'adoption accélérée des plateformes haute tension 800 V dans les véhicules électriques, où les modules SiC deviennent de plus en plus la norme dans les onduleurs principaux. Parallèlement, les secteurs du stockage d'énergie photovoltaïque, du contrôle industriel et de l'alimentation électrique des centres de données contribuent également à une forte croissance de la demande de SiC.
Le soutien politique renforce le développement du secteur. La Chine a prolongé les subventions pour les semi-conducteurs de troisième génération jusqu'en 2026, avec des subventions à l'investissement dans les équipements pour les nouvelles usines pouvant atteindre 3 milliards de yuans. À l'échelle internationale, le mécanisme d'ajustement carbone aux frontières (CBAM) de l'UE incite les fabricants à développer des dispositifs de puissance plus efficaces, stimulant indirectement l'adoption du carbure de silicium (SiC).
Alors que le secteur entre dans cette phase de croissance cruciale, les entreprises concentrent leurs efforts sur des avancées majeures dans les technologies de substrat 8 pouces et d'épitaxie, accélèrent les certifications pour l'industrie automobile et poursuivent l'intégration verticale afin de réduire les coûts et d'améliorer la compétitivité. Malgré les risques de surcapacité à court terme et la concurrence sur les prix qui persistent, les perspectives à long terme pour le SiC restent solides, les améliorations technologiques et l'élargissement des applications devant assurer une croissance soutenue jusqu'en 2030.