A industria do carburo de silicio entra nun período de crecemento dourado, cunha expansión explosiva prevista entre 2026 e 2030
Desde comezos de 2026, a industria chinesa do carburo de silicio (SiC) acelerou o seu impulso de desenvolvemento, cunha serie de grandes proxectos que chegaron por todo o país. Desde a sinatura dun proxecto de empaquetado e proba de módulos de potencia de mil millóns de RMB en Hefei, ata a posta en funcionamento oficial da liña de produción de chips de SiC de 8 polgadas de Silan Micro, e desde o funcionamento a plena capacidade dunha liña de módulos de calidade para vehículos en Weihai ata BaSemicondutores Sicnova sede central en Wuxi, estes movementos conxuntamente sinalan unha forte vitalidade no sector.
Como material central nos semicondutores de terceira xeración, o SiC está a gañar unha adopción xeneralizada en vehículos de novas enerxías (NEV), almacenamento de enerxía fotovoltaica (PV) e outras aplicacións de alta potencia, impulsado polo seu rendemento superior en resistencia a altas temperaturas, tolerancia a alta tensión e alta densidade de potencia. A industria está a entrar agora nun período de alta certeza e rápido crecemento, co período 2026-2030 amplamente considerado como a etapa de expansión dourada.
A expansión do mercado segue a ser o principal impulsor. Segundo os datos do sector, o mercado global Dispositivo de alimentación Sic O mercado alcanzou aproximadamente os 5.000 millóns de dólares en 2024 e proxéctase que supere os 15.000 millóns de dólares en 2030, o que representa unha taxa de crecemento anual composta (CAGR) de arredor do 14,5 %. O mercado chinés está a crecer aínda máis rápido, cunha CAGR estimada entre o 18 % e o 40 %, e espérase que o tamaño do mercado nacional supere os 100.000 millóns de RMB en 2026.
A demanda está a ser impulsada principalmente pola adopción acelerada de plataformas de alta tensión de 800 V nos vehículos eléctricos de novo xeración (NEV), onde os módulos de SiC se están a converter cada vez máis no estándar nos principais inversores. Mentres tanto, os sectores do almacenamento de enerxía fotovoltaica, o control industrial e a subministración de enerxía para centros de datos tamén están a impulsar un crecemento robusto da demanda de SiC.
O apoio político apuntala aínda máis o desenvolvemento da industria. China ampliou as subvencións para os semicondutores de terceira xeración ata 2026, con subvencións para o investimento en equipos para novas fábricas que chegan ata os 3.000 millóns de yuans. No ámbito internacional, o Mecanismo de Axuste das Fronteiras do Carbono (CBAM) da UE está a impulsar os fabricantes cara a dispositivos de enerxía de maior eficiencia, o que impulsa indirectamente a adopción do SiC.
A medida que a industria entra nesta fase crítica de crecemento, as empresas están a centrarse en avances clave en substratos de 8 polgadas e tecnoloxías de epitaxia, acelerando as certificacións de grao automotriz e buscando a integración vertical para reducir custos e mellorar a competitividade. Aínda que os riscos de exceso de capacidade a curto prazo e a competencia de prezos seguen sendo desafíos, as perspectivas a longo prazo para o SiC seguen sendo fortes, e espérase que as actualizacións tecnolóxicas e a expansión dos escenarios de aplicación impulsen un crecemento sostido ata 2030.