Die Siliziumkarbidindustrie tritt in eine goldene Wachstumsphase ein, zwischen 2026 und 2030 wird eine explosive Expansion erwartet.
Seit Anfang 2026 hat Chinas Siliziumkarbid-Industrie (SiC) ihre Entwicklung deutlich beschleunigt, was sich in einer Reihe von Großprojekten im ganzen Land widerspiegelt. Dazu gehören die Unterzeichnung eines 1 Milliarde RMB schweren Projekts zur Verpackung und Prüfung von Leistungsmodulen in Hefei, die offizielle Inbetriebnahme der 8-Zoll-SiC-Chip-Produktionslinie von Silan Micro sowie die vollständige Inbetriebnahme einer Modullinie für Fahrzeuge in Weihai und BaSic HalbleiterMit dem neuen Hauptsitz in Wuxi signalisieren diese Schritte insgesamt eine starke Dynamik in diesem Sektor.
Als Kernmaterial in Halbleitern der dritten Generation findet Siliziumkarbid (SiC) aufgrund seiner überlegenen Eigenschaften in Bezug auf Hochtemperaturbeständigkeit, hohe Spannungsfestigkeit und hohe Leistungsdichte immer breitere Anwendung in Elektrofahrzeugen, Photovoltaik-Energiespeichern und anderen Hochleistungsanwendungen. Die Branche tritt nun in eine Phase mit hoher Sicherheit und rasantem Wachstum ein, wobei der Zeitraum von 2026 bis 2030 allgemein als die goldene Expansionsphase gilt.
Die Marktexpansion bleibt der wichtigste Treiber. Laut Branchenzahlen weltweit Sic Leistungsgerät Der Markt erreichte 2024 ein Volumen von rund 5 Milliarden US-Dollar und wird Prognosen zufolge bis 2030 auf über 15 Milliarden US-Dollar anwachsen, was einer durchschnittlichen jährlichen Wachstumsrate (CAGR) von etwa 14,5 % entspricht. Der chinesische Markt wächst sogar noch schneller, mit einer geschätzten CAGR zwischen 18 % und 40 %, und das Volumen des Inlandsmarktes wird voraussichtlich bis 2026 100 Milliarden RMB übersteigen.
Die Nachfrage wird vor allem durch die zunehmende Verbreitung von 800-V-Hochspannungsplattformen in Elektrofahrzeugen angetrieben, wo SiC-Module immer häufiger zum Standard in Hauptwechselrichtern gehören. Gleichzeitig tragen auch die Bereiche Photovoltaik-Energiespeicherung, industrielle Steuerungstechnik und Stromversorgung von Rechenzentren zu einem starken Wachstum der SiC-Nachfrage bei.
Politische Unterstützung trägt maßgeblich zur Entwicklung der Branche bei. China hat die Subventionen für Halbleiter der dritten Generation bis 2026 verlängert; die Investitionszuschüsse für neue Produktionsanlagen belaufen sich auf bis zu 3 Milliarden RMB. Auf internationaler Ebene fördert der CO₂-Grenzausgleichsmechanismus (CBAM) der EU die Entwicklung hocheffizienter Leistungshalbleiter und treibt so indirekt die Verbreitung von Siliziumkarbid (SiC) voran.
Da die Branche nun in diese entscheidende Wachstumsphase eintritt, konzentrieren sich die Unternehmen auf wichtige Durchbrüche bei 8-Zoll-Substrat- und Epitaxietechnologien, beschleunigen die Zertifizierung nach Automobilstandards und streben eine vertikale Integration an, um Kosten zu senken und die Wettbewerbsfähigkeit zu steigern. Kurzfristige Überkapazitätsrisiken und Preiswettbewerb stellen zwar weiterhin Herausforderungen dar, doch die langfristigen Aussichten für SiC sind nach wie vor positiv. Technologische Verbesserungen und die Erweiterung der Anwendungsszenarien dürften bis 2030 ein nachhaltiges Wachstum fördern.