Obxectivo de molibdeno: usado especificamente para o revestimento por pulverización catódica
Estabilidade a altas temperaturas e propiedades mecánicas
Punto de fusión ultraalto: 2623 °C, o que pode manter a estabilidade estrutural nun ambiente de pulverización catódica de alta temperatura (300~800 °C) e ten unha forte resistencia á deformación térmica;
Resistencia a altas temperaturas: mantén unha alta dureza e resistencia á fluencia a altas temperaturas, o que garante que o material obxectivo non se rache nin se deforme durante os procesos a longo prazo;
Coeficiente de expansión térmica (4,8 × 10⁻⁶/K): Boa compatibilidade térmica con substratos de silicio e vidro, o que reduce a delaminación ou a formación de gretas causadas pola tensión térmica da película;
Conductividade e rendemento da xestión térmica
Alta condutividade: mellora a eficiencia da pulverización catódica e reduce o consumo de enerxía do proceso;
Alta condutividade térmica: conduce rapidamente a calor de pulverización catódica para evitar que o obxectivo se rache ou salpique gotas causadas polo sobrequecemento local e garante a uniformidade da capa de película;
Características da deposición de película fina
Baixa taxa de pulverización catódica: requírese unha excitación de alta potencia, pero a capa de película sedimentaria é densa e a adhesión é forte;
Alta densidade: reduce a porosidade e os defectos durante a pulverización catódica, mellora a pureza e a compacidade da película;
Tamaño de gran controlable: Conseguir unha estrutura de gran fino mediante a optimización do proceso, reducir as partículas de pulverización catódica e mellorar o acabado superficial da capa de película;
Estabilidade química e multifuncionalidade
Estabilidade química e multifuncionalidade
Resistencia á corrosión: Resistente á maioría dos ácidos, álcalis e gases de proceso (como O₂, N₂), axeitado para pulverización catódica reactiva (como MoO₃, MoN depositados);
Baixa afinidade polo osíxeno: non é doado oxidar a alta temperatura, mantén as características da película metálica de alta pureza (necesidade de controlar o contido de osíxeno da cavidade);
descrición2
Fabricación de semicondutores e pantallas planas
Materiais de interconexión e porta: para depositar capas de barreira de Mo/MoN;
Capa de contacto: como eléctrodo de fonte/dreno no plano posterior TFT da pantalla OLED;
Electrodo de matriz TFT: estrutura apilada de Mo/Al/Mo depositada;
Capa de soporte de película condutora transparente (TCO): eléctrodo posterior de Mo para células solares de perovskita;
Novas enerxías e dispositivos ópticos
Células solares de película fina: o material do eléctrodo traseiro das células CIGS (seleniuro de cobre, indio e galio);
Espellos infravermellos: dispositivos ópticos fabricados utilizando a alta reflectividade infravermella do molibdeno.
Espellos infravermellos: dispositivos ópticos fabricados utilizando a alta reflectividade infravermella do molibdeno.
descrición2





