Leave Your Message

Obxectivo de óxido de cinc: excelente propiedade de película fina

O material obxectivo de pulverización catódica de ZnO é unha cerámica de óxido composta de zinc e osíxeno formada mediante sinterización a alta temperatura, deseñada especificamente para revestimentos de pulverización catódica de magnetrón en procesos de deposición física de vapor. A súa fórmula química é ZnO e é un material semicondutor de banda prohibida ampla que se usa amplamente en optoelectrónica, aplicacións piezoeléctricas e películas condutoras transparentes, tendo especialmente unha importancia significativa en tecnoloxías avanzadas como pantallas, fotovoltaica e sensores.

    Propiedades da película fina

    Alta transmitancia e condutividade: alta transmitancia no rango da luz visible, con resistividade aínda máis reducible mediante dopaxe, axeitada para eléctrodos transparentes.

    Cristalinidade: pódense preparar películas de alta calidade con orientación preferencial no eixe c, o que é beneficioso para o rendemento piezoeléctrico e optoeléctrico.

    Capacidade de formación de películas a baixa temperatura: pódese depositar a temperaturas máis baixas (mesmo a temperatura ambiente), axeitado para substratos flexibles e dispositivos sensibles á temperatura.

    Rendemento da pulverización catódica

    Alta taxa de pulverización catódica e estabilidade: a alta densidade e a alta pureza garanten un proceso de pulverización catódica estable cunha alta taxa de formación de película.

    Uniformidade e consistencia: os grans finos e uniformes (xeralmente ≤10 μm) permiten a formación uniforme da película en grandes áreas.

    Baixos defectos e contaminación: a microestrutura é densa e prodúcense menos partículas durante o proceso de pulverización catódica, o que é beneficioso para mellorar o rendemento do dispositivo.

    Química e Diversidade Funcional

    Flexibilidade de dopaxe: as propiedades eléctricas pódense regular mediante o dopaxe con elementos como Al e Ga para conseguir condutividade de tipo n.

    Propiedades piezoeléctricas e termoeléctricas: Ten bos coeficientes piezoeléctricos e respostas termoeléctricas, o que o fai axeitado para sensores e dispositivos de captación de enerxía.

    Estabilidade química: Quimicamente estable á temperatura ambiente, resistente á humidade e á oxidación, axeitado para diversos ambientes de proceso.

    descrición2

    Optoelectrónica e tecnoloxía de visualización

    Películas condutoras transparentes: úsanse como eléctrodos transparentes en pantallas táctiles, pantallas de cristal líquido (LCD), díodos orgánicos emisores de luz (OLED), etc. (como substituto do ITO).

    Células solares: serven como capas de fiestra ou capas amortiguadoras en células solares de película fina (como as células CIGS e de perovskita).

    Sensores e dispositivos piezoeléctricos

    Sensores de gas: Resposta sensible a varios gases (como H₂, NO₂, etanol, etc.), utilizados para a monitorización ambiental e a detección de seguridade.

    Sensores piezoeléctricos e dispositivos de ondas acústicas: utilízanse en filtros de ondas acústicas superficiais (SAW) e capas piezoeléctricas en sistemas microelectromecánicos (MEMS).


    Dispositivos semicondutores e optoelectrónicos

    Fotodetectores ultravioleta: utilízanse para a detección e obtención de imaxes de luz ultravioleta debido ás súas características de banda prohibida ampla.

    Dispositivos emisores de luz: pódense usar en capas funcionais de LED ultravioleta e estruturas láser.



    descrición2